研究目的
利用微机电系统（MEMS）技术研究热释电红外（PIR）探测器阵列传感薄膜的最佳生长方法。
研究成果
在700°C退火的PZT薄膜展现出优异性能，其探测率优值（FD）达到1.29×10?5 Pa?1/2，表明该制备工艺有望为高性能PIR探测器阵列提供优质的传感层材料。
研究不足
退火温度对获得高质量PZT薄膜至关重要。退火温度过低时，PZT薄膜容易出现结晶不完全的情况；而退火温度过高则可能导致薄膜开裂。
1：实验设计与方法选择：
采用自制含20 wt%过量PbO的PZT陶瓷靶材，通过射频磁控溅射在Pt/TiO2/Si3N4/SiO2/Si衬底上制备PZT薄膜。薄膜在快速热退火炉中分别于650°C/700°C/750°C/800°C不同温度下进行20分钟空气退火处理。
2：样品选择与数据来源：
所用衬底为Pt/TiO2/Si3N4/SiO2/Si。
3：实验设备与材料清单：
射频磁控溅射系统、快速热退火炉、X射线衍射仪（XRD，D/Max-2400，日本理学）、场发射扫描电子显微镜（SEM，Quanta F250，美国FEI）、阻抗分析仪（E4980A，美国安捷伦）、加热冷却台系统（HFSE91-P，英国Linkam）、静电计（6517B，美国吉时利）。
4：实验流程与操作步骤：
沉积环境为Ar/O2混合气体（流量比80/20），工作压强维持3.0 Pa，射频功率保持150 W，沉积时间2.5小时。
5：0 Pa，射频功率保持150 W，沉积时间5小时。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：采用XRD表征PZT薄膜结构，SEM观察表面及截面形貌，阻抗分析仪测量介电常数与介电损耗，准静态法通过加热冷却台系统与静电计测定热释电系数。
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field-emission scanning electron microscope
Quanta F250
FEI
Characterizing the surface and cross-section morphologies of PZT thin films
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impedance analyzer
E4980A
Agilent Technologies
Measuring the dielectric constant and the dielectric loss
E4980A/E4980AL Precision LCR Meter
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