研究目的
利用热反射和电学瞬态测量技术,首次对硅基集成太赫兹准垂直GaAs肖特基二极管进行热特性表征。
研究成果
与其它太赫兹肖特基二极管相比,准垂直二极管展现出相当的热阻和更快的瞬态响应。该研究为这些二极管的热性能提供了有价值的见解,对其在亚毫米波电路中的设计和应用具有指导意义。
研究不足
热反射法仅对表面温度进行采样,这限制了其观测短时间常数瞬态过程的能力。电学瞬态法则存在潜在误差源,且需要对数据进行谨慎解读。
研究目的
利用热反射和电学瞬态测量技术,首次对硅基集成太赫兹准垂直GaAs肖特基二极管进行热特性表征。
研究成果
与其它太赫兹肖特基二极管相比,准垂直二极管展现出相当的热阻和更快的瞬态响应。该研究为这些二极管的热性能提供了有价值的见解,对其在亚毫米波电路中的设计和应用具有指导意义。
研究不足
热反射法仅对表面温度进行采样,这限制了其观测短时间常数瞬态过程的能力。电学瞬态法则存在潜在误差源,且需要对数据进行谨慎解读。
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