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热原子层沉积AlN在GaN上改进的界面特性

DOI：10.1016/j.vacuum.2018.10.067 期刊：Vacuum 出版年份：2019 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 研究了原子层沉积氮化铝（AlN）在n型氮化镓（GaN）衬底上的界面特性。电容-电压（C-V）特性表明，24纳米厚AlN样品的界面态密度低于7.4纳米厚AlN样品。X射线光电子能谱（XPS）分析显示，24纳米厚AlN在AlN/GaN界面附近形成了更优质的AlN。随着AlN厚度增加，Al 2p芯能级谱的主峰向较低结合能方向移动，这可能是由于AlN与GaN之间晶格失配导致的应变弛豫所致。
作者： Hogyoung Kim，Nam Do Kim，Sang Chul An，Hee Ju Yoon，Byung Joon Choi
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究原子层沉积AlN在n型GaN衬底上的界面特性，以理解AlN厚度对界面态密度及AlN/GaN界面附近AlN形成的影响。

研究成果

研究表明，在n型GaN衬底上生长24纳米厚的AlN层比7.4纳米厚层具有更低的界面态密度和更优的界面附近AlN形成质量。随着AlN厚度增加，Al 2p芯能级谱中观察到的峰位偏移表明这是由AlN与GaN间晶格失配导致的应变弛豫现象。

研究不足

该研究仅限于对n-GaN衬底上两种特定厚度（7.4纳米和24纳米）的AlN层进行探究。未涉及其他厚度或不同衬底材料的影响。

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