研究目的
评估通过脉冲激光沉积（PLD）制备的n型硅/硼掺杂p型超纳米晶金刚石（UNCD）异质结二极管的串联电阻（Rs）和界面态密度（Nss），并研究室温下不同电压（V）值下的阻抗特性。
研究成果
该研究利用脉冲激光沉积法成功制备了n型硅/硼掺杂p型超纳米晶金刚石异质结光电二极管，发现串联电阻（Rs）和表面态密度（Nss）是影响二极管性能的关键因素。阻抗特性分析显示Z''–Z'图中呈现单一半圆，表明其等效电路模型由串联电阻与电阻-恒相位元件并联组合构成。该成果有助于理解基于超纳米晶金刚石异质结的光电应用电学特性。
研究不足
该研究承认界面态的产生是器件性能退化的主要原因，指出了制造工艺中降低界面态密度和串联电阻的潜在优化方向。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用脉冲激光沉积（PLD）技术在n型Si(100)衬底上制备B掺杂p型UNCD/a-C:H薄膜层。研究方法包括测量电容-电压-频率（C-V-f）和电导-电压-频率（G-V-f）曲线，并通过阻抗谱分析电学特性。
2：样品选择与数据来源：
样品为n型Si/B掺杂p型UNCD异质结光电二极管。测得
3：1 at.% B掺杂UNCD/a-C:
H薄膜的载流子浓度约为6.1×10^15 cm^-3。
4：1×10^15 cm^-3。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：设备包括PLD装置、ArF准分子激光器、射频磁控溅射仪、Keithley 2400系列源表、Agilent E4980A精密LCR表及手持紫外灯（AS ONE SLUV-6）。材料包含含0.1 at.%硼的石墨靶材，以及用于欧姆接触的铝（Al）和钯（Pd）。
5：1 at.%硼的石墨靶材，以及用于欧姆接触的铝（Al）和钯（Pd）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：PLD过程包括将衬底升温至550°C，聚焦激光束于B掺杂石墨靶材，并制备Al和Pd欧姆接触。在黑暗和光照条件下测量电学特性。
6：数据分析方法：
采用Nicollian-Brews法估算Rs值，Hill-Coleman法评估Nss值，通过阻抗谱分析电学特性。
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