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[2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大市(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 1.2kV 4H-SiC MOSFET与JBSFET的新型短路失效机制

DOI：10.1109/WiPDA.2018.8569178 出版年份：2018 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： 电力器件的短路（SC-SOA）能力对电力系统至关重要。本文对1.2kV碳化硅MOSFET和JBSFET进行特性分析，测试并研究了它们的短路安全工作区表现。研究发现，尽管集成了肖特基接触，但由于饱和漏极电流更低，JBSFET相比MOSFET具有更优的短路安全工作区?；诜堑任耇CAD数值模拟（辅以能量色散X射线光谱仪EDS分析的失效芯片SEM检测），本文提出了一种与顶部铝金属层熔化相关的新短路失效机制。
作者： Kijeong Han，Ajit Kanale，B. J. Baliga，Bahji Ballard，Adam Morgan，Douglas C. Hopkins
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究1.2 kV碳化硅MOSFET和JBSFET的短路耐受能力（SC-SOA），并提出一种与顶部铝金属化层熔化相关的新短路失效机制。

研究成果

额定电压为1.2千伏的4H-SiC JBSFET由于漏极饱和电流更小，相比传统MOSFET具有更优异的短路能力?；诜堑任耇CAD数值模拟及结合EDS分析的SEM研究，提出了一种与顶部铝金属化层熔融相关的新型短路失效机制。

研究不足

该研究聚焦于1.2千伏碳化硅MOSFET和JBSFET器件，所提出的失效机理可能不适用于不同结构或材料的器件。需注意能谱分析中元素散射结果对检测精度的影响。

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