1：实验设计与方法选择：

本研究采用自生成方法学，将层间分子作为添加剂混合于半导体聚合物薄膜中。在顶部金属电极沉积过程中，这些分子因与金属的相互作用迁移至聚合物/金属界面，形成连续层间结构。技术手段包括器件制备、XPS和STEM表征以及采用TLM分析的电学测量。

2：样品选择与数据来源：

使用p型DPP-T-TT和n型P(NDI2OD-T2)聚合物作为活性层。添加剂包含HEG-DT和4-FM。器件制备于带有SiO2介电层的硅晶圆上，顶部蒸镀Ag或Au电极。

3：实验设备与材料清单：

材料包括DPP-T-TT、P(NDI2OD-T2)、4-FM、HEG-DT、三氯十八烷基硅烷及1,2-二氯苯等溶剂。设备含旋涂仪、热蒸发仪、XPS系统（5600多技术系统）、STEM（FEI Titan Cubed Themis G2 300）、聚焦离子束显微镜（FEI Helios NanoLab DualBeam G3 UC）、紫外-可见分光光度计（Varian Cary 100）、X射线衍射仪（RIGAKU D/MAX-2500系列）及源表（Keithley 2612B）。

4：2)、4-FM、HEG-DT、三氯十八烷基硅烷及1,2-二氯苯等溶剂。设备含旋涂仪、热蒸发仪、XPS系统（5600多技术系统）、STEM（FEI Titan Cubed Themis G2 300）、聚焦离子束显微镜（FEI Helios NanoLab DualBeam G3 UC）、紫外-可见分光光度计（Varian Cary 100）、X射线衍射仪（RIGAKU D/MAX-2500系列）及源表（Keithley 2612B）。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：基底经清洗和OTS处理后，旋涂含添加剂的聚合物溶液并干燥，通过掩模蒸镀顶部金属电极。器件在手套箱中进行电学表征。STEM截面样品采用FIB制备，XPS测量在超高真空下进行。

5：数据分析方法：

饱和迁移率采用标准OFET公式计算，接触电阻通过TLM提取。XPS数据用XPSPEAK软件分析，STEM-EDX用于元素分布成像。