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Design, Simulation and Fabrication of Highly Sensitive Cooled Silicon Bolometers for Millimeter-Wave Detection

DOI:10.1007/s10909-020-02405-6 期刊:Journal of Low Temperature Physics 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: This paper reports our results on the electrothermal modeling of cryogenic silicon bolometers with pixel pitches of 500 and 1200 μm designed for cosmic microwave background polarimetric observation in 0.6 mm and 1.5 mm bands. These detectors should provide a high responsivity, typically around 1011 V/W, and a very low noise equivalent power (NEP) of 10?18 W/Hz1/2 between 50 and 100 mK. They are based on doped silicon thermometers, which exhibit a nonohmic behavior described by the “hot electron model” (HEM) at very low temperature under high bias currents. We compare this model to the experimental characterization of these thermometers at cryogenic temperatures to confirm that the HEM is governing their electrical characteristics and their sensitivity at very low temperature. Finally, this model is used to derive the simulated responsivity and NEP performances of the pixels under weak and moderate optical power illumination.
作者: O?A. Adami,L. Dussopt,L. Rodriguez,W. Rabaud,A. Aliane,J?L. Ouvrier?Buffet,V. Goudon,H. Kaya,C. Vialle,J?L. Sauvageot,V. Reveret,S. Becker,A. Poglitsch
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Investigating the electrothermal modeling of cryogenic silicon bolometers for cosmic microwave background polarimetric observation.

The study demonstrates that cooled silicon bolometer pixels can achieve very high performances for CMB radiation polarization detection, with a responsivity of around 1011 V/W and a total NEP better than 10?18 W/Hz1/2 in the range of 50–100 mK. However, the nonohmic behavior of the thermometers at high bias currents can degrade their sensitivity, requiring a careful optimization of the bias current.

The study is limited by the nonohmic behavior of the doped silicon thermometers at very low temperatures under high bias currents, which can degrade the thermometer sensitivity. A trade-off has to be found between Joule heating and electro-optical performances.

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