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AIP Conference Proceedings [Author(s) INTERNATIONAL CONFERENCE ON SUSTAINABLE ENGINEERING AND TECHNOLOGY (ICONSET 2018) - Karnataka, India (19–20 April 2018)] - Synthesis of heterojunction layers of graphene/MoS2 and its characterization

DOI：10.1063/1.5079036 出版年份：2018 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： The synthesis of atomically thin layered MoS2/Graphene heterostructure is of great interest in optoelectronic devices because of their unique properties. Herein, we present a synthesis method to prepare heterostructure of MoS2/graphene using low pressure chemical vapor deposition. Atomic force microscopy, Raman spectra demonstrated that MoS2 film on graphene exhibited good thickness uniformity. This novel sensing structure based on a 2D heterostructure promises to provide a simple route to an essential sensing platform for wearable electronics.
作者： Rupika Singh Tomar，Kajol Taiwade，Javid Ali，Samina Khan，Fozia Z. Haque
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

To synthesize and characterize heterojunction layers of graphene/MoS2 for optoelectronic applications.

研究成果

The synthesis approach successfully fabricates large-scale uniform MoS2 on graphene, as confirmed by AFM and Raman spectroscopy. The heterostructure shows promise for applications in wearable electronics.

研究不足

The study focuses on the synthesis and characterization of graphene/MoS2 heterostructures but does not explore their performance in specific optoelectronic devices.

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