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[IEEE 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - Austin, TX, USA (2018.9.24-2018.9.26)] 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - An Improved Random Path Length Algorithm for p-i-n and Staircase Avalanche Photodiodes

DOI:10.1109/SISPAD.2018.8551751 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: We present an improved Random Path Length algorithm to accurately and efficiently estimate the design space of heterostructure avalanche photodiodes (APDs) in terms of gain, noise and bandwidth without any need of full Monte Carlo transport simulations. The underlying nonlocal model for impact ionization goes beyond the Dead Space concept and it is suited to handle staircase structures composed by a superlattice of III-V compounds as well as thick and thin p-i-n APDs. The model parameters have been calibrated on GaAs and Al_xGa_{1-x}As p-i-n APDs in a previous work. In this work GaAs p-i-n APDs are compared to staircase structures in terms of noise and bandwidth.
作者: Alessandro Pilotto,Pierpaolo Palestri,Luca Selmi,Matias Antonelli,Fulvia Arfelli,Giorgio Biasiol,Giuseppe Cautero,Francesco Driussi,Ralf H. Menk,Camilla Nichetti,Tereza Steinhartova
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To accurately and efficiently estimate the design space of heterostructure avalanche photodiodes (APDs) in terms of gain, noise, and bandwidth without full Monte Carlo simulations, and to compare GaAs p-i-n APDs with staircase structures.

The improved RPL algorithm effectively models complex heterostructure APDs, showing that staircase APDs offer advantages in excess noise reduction over p-i-n diodes, but gains in gain-bandwidth product are limited unless hole impact ionization is suppressed. The method enables exploration of the design space for gain, noise, and bandwidth.

The model underestimates the experimental breakdown voltage for staircase APDs, and the computational approach, while efficient, may sacrifice some accuracy compared to full Monte Carlo simulations. The assumption of constant carrier velocities and negligible photo-generated current effects on electrostatics could be limitations.

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