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oe1(光电查) - 科学论文

9 条数据
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  • [2018年第二届电子、材料工程与纳米技术国际会议（IEMENTech）- 加尔各答（2018年5月4日-5月5日）] 2018年第二届电子、材料工程与纳米技术国际会议（IEMENTech）- 自洽技术对共振隧穿二极管电流密度分布的影响

    摘要： 本文揭示了自洽技术在计算共振隧穿器件电流密度中的重要性。为进行模拟，采用AlxGa1-xAs/GaAs/AlyGa1-yAs结构，在适当边界条件下同时求解薛定谔方程和泊松方程，以获得随外偏压变化的电流密度。通过改变I型能带范围内的结构参数和材料组分来获取电流波动——若不采用自洽技术计算则不会出现这种波动。研究结果具有重要意义，因为所得电流幅值高于未使用自洽技术时的计算结果。由于特定系统组分下会出现峰值，该结果对RTD的低偏压应用具有重要价值。

    关键词： 峰值电流密度、共振隧穿二极管、泊松方程、电流密度、自洽技术、薛定谔方程

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • AlGaAs/GaAs共振隧穿二极管中负微分电阻的电调制

    摘要： 在本研究中，我们探究了AlGaAs右势垒宽度及接触层掺杂浓度对双势垒AlGaAs/GaAs共振隧穿二极管（RTD）负微分电阻（NDR）特性与器件性能的影响。通过非平衡格林函数法（NEGF）进行模拟计算，结果表明：增大右势垒宽度Lb2会显著降低峰谷电流比（PVCR），当对称结构RTD的AlGaAs势垒从5nm增至8nm时，该比值从2.5骤降至1.1。研究发现存在特定右势垒宽度Lb2=9nm时NDR效应完全消失。此外，接触层掺杂浓度的提升也会导致PVCR及NDR特性减弱。这些发现为设计具有适宜负微分电阻的共振隧穿二极管提供了依据?；贜anohub工具的RTD模拟验证了本文所述各项结论。

    关键词： 薛定谔方程、共振隧穿二极管、峰谷比、电流-电压特性、负微分电阻

    更新于2025-09-23 20:31:01

  • 由共振隧穿二极管电流驱动的光注入半导体激光器中的多涡卷混沌吸引子

    摘要： 本文展示了自由运行激光器与受扰激光器之间光注入激光二极管（LD）的复杂非线性动力学特性。通过分岔图分析与李雅普诺夫指数谱相互印证，揭示了由谐振隧穿二极管（RTD）电路电流直接调制在限定范围内时呈现的混沌与准周期动力学行为。该LD模型引入了称为有效增益系数（EGC）的新控制参数，通过EGC变化可切换频率??????，并通过周期性振荡向混沌的级联过程产生超混沌态和多涡卷混沌吸引子。此外，该新型耦合系统的实验实现表明：当直流偏置电压叠加交流信号?????? ??????(2??????????)时，LD输出会呈现周期性、注入等多种光学信号。

    关键词： 混沌吸引子、光注入、半导体激光器、共振隧穿二极管、光电子电路

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 基于石墨烯等离子体波与双石墨烯天线的谐振隧穿二极管（RTD）太赫兹有源传输线振荡器

    摘要： 本研究描述了一种采用RTD门控石墨烯二维电子流体（2DEF）的共振隧穿二极管（RTD）振荡器设计，并通过传输线仿真模型验证了该RTD振荡器的工作性能。当器件物理尺寸达到电波长的显著比例时，RTD振荡器的阻抗会呈现周期性变化。只要实现阻抗匹配，振荡频率就不受器件尺寸限制。配备石墨烯薄膜和负微分电阻（NDR）的RTD振荡器可产生功率放大效应。通过将直流电源正极改装为天线设计，反射功率也能被辐射出去以提升RTD振荡器输出功率。输出分析表明：通过优化天线结构，可使RTD振荡器分别在1.9THz和6.1THz频段实现22mW与20mW的输出功率。此外，配备匹配天线的RTD振荡器具备在50THz频段振荡的潜力。

    关键词： 传输线模型、RTD门控石墨烯-二维电子流体、共振隧穿二极管（RTD）、石墨烯等离子体、二维电子流体（2DEF）、共振隧穿二极管振荡器（RTD振荡器）、太赫兹

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 采用共振隧穿二极管结构的长波长II型InAs/GaSb超晶格光电探测器

    摘要： 我们报道了一种采用共振隧穿二极管（RTD）结构的长波长II型InAs/GaSb超晶格光电探测器。生长样品的X射线衍射曲线卫星峰线宽仅为15.7角秒，显示出极高的结构质量。该RTD探测器在77K下的响应峰值波长为7.5微米，50%截止波长为9.6微米。当施加偏压为1.45V时，在7.5微米处测得量子效率为147%，对应响应度为8.9A/W。这种异常高的量子效率归因于器件处于共振隧穿条件时获得的大增益。在77K、1.45V偏压下，相应的散粒噪声极限探测率D*达到1.2×10^10 cm·Hz^(1/2)/W。

    关键词： 长波长、InAs/GaSb超晶格、量子效率、共振隧穿二极管、II型

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [IEEE 2018年国际俄罗斯自动化会议（RusAutoCon）- 俄罗斯索契（2018.9.9-2018.9.16）] 2018年国际俄罗斯自动化会议（RusAutoCon）- 基于A<inf>3</inf>B<inf>5</inf>共振隧穿二极管的射频识别无源标签供电系统可靠性预测

    摘要： 开发了一种预测射频识别（RFID）无源标签供电系统可靠性的方法。该可靠性通过参数失效进行评估，这种失效与谐振隧穿二极管（RTD）的I-V特性漂移相关——作为标签整流器组成部分的RTD在外部因素超出耐受极限时会出现此类漂移。研究提出了基于最小允许范围准则计算RFID无源标签供电系统失效时间的可靠性方法。该方法可用于设计无源UHF和SHF标签的RFID系统，以预测其在特定工作条件下的可靠性。所开发的算法和软件?？榭杉芍料嘤AD系统中。

    关键词： 被动标签、共振隧穿二极管、退化、射频识别、电流-电压特性、可靠性、电源系统

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [智能系统与计算进展] 科学、技术与工程数学中的建模与仿真 第749卷（国际建模与仿真会议（MS-17）论文集）|| 采用自洽技术计算双势阱共振隧穿二极管的电流密度

    摘要： 对双势阱共振隧穿二极管进行了不同组成层宽度及不同工作温度下的解析模拟。在特定偏压值下获得了峰值电流密度，这表明相邻量子阱之间的本征态发生了对齐。模拟中采用了自洽技术，该技术能准确提供峰值位置、获得该峰值幅度所需的最优结构参数，以及在施加偏压范围内获得可测量电流所需的结温。值得注意的是，电流随温度升高而增大。为揭示外部因素对器件电学特性的影响，采用两组不同尺寸进行模拟。接触区域的不同尺寸也有助于分析峰值电流曲线的波动。因此，器件可在出现峰值的那些偏压点上运行。

    关键词： 共振隧穿二极管、自洽技术、量子输运、电流密度、半导体异质结构

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [IEEE 2018年国际俄罗斯自动化会议（RusAutoCon）- 索契（2018.9.9-2018.9.16）] 2018年国际俄罗斯自动化会议（RusAutoCon）- 批量生产条件下研究共振隧穿二极管参数重现性的计算机统计实验应用

    摘要： 研究对象是基于砷化镓/铝镓砷多层异质结构的共振隧穿二极管（RTD）。本文提交了一套基于共振隧穿二极管电流-电压特性高速建模算法并包含计算机统计实验?？榈娜砑８每⑷砑糜谘芯慷苌杓撇问募际跷蟛疃訰TD I-V特性变化的影响。通过与实验数据对比验证了结果的准确性。

    关键词： 计算机统计实验，统计优化，共振隧穿二极管

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 基于非极性取向AlGaN/GaN异质结构的共振隧穿二极管性能

    摘要： 基于非极性取向AlGaN/GaN异质结构的共振隧穿二极管（RTDs）性能已通过数值模拟进行理论研究。模拟结果表明：沿非极性取向生长的RTDs可产生电流-电压（I-V）特性，其峰值电流、峰谷比（PVCR）和峰值电压分别比传统极性取向生长的RTDs高出约3.5倍和1.5倍、低约1.1倍。结果还显示出优异的对称性、I-V特性高重复性以及高本征响应频率。

    关键词： 电流-电压特性、共振隧穿二极管、数值模拟、AlGaN/GaN异质结构、非极性取向

    更新于2025-09-04 15:30:14