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利用发色团实现从可见光到拍赫兹技术的跨越，处理太赫兹以上的电磁辐射
摘要： 电磁波工作频率的提升，从成熟的太赫兹技术延伸至可见光频段，最终达到拍赫兹辐射。研究表明，接近拍赫兹的电磁辐射对于可应用无线电波知识的技术领域具有重要价值。这类辐射的尺度仍保持经典宏观特性，但已采用谐振器等分子组件——此时必须考虑量子力学规则。研究同时展示了用于能量传递的耦合谐振器结构，以及适用于光学超材料的分子组件。
关键词： 染料、荧光共振能量转移（FRET）、能量传递、反射率、拍赫兹、可见光、谐振器、超材料、太赫兹、电磁辐射
更新于2025-09-23 15:23:52
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基于偏振敏感太赫兹时域光谱技术的m面蓝宝石衬底取向依赖性太赫兹响应
摘要： 采用偏振敏感飞秒太赫兹时域光谱技术研究了m面蓝宝石（m-蓝宝石）衬底在太赫兹频段的介电响应。通过旋转m-蓝宝石衬底的φ角，我们测量了平行偏振太赫兹场对应的透射时域波形。当方位角为0°、90°和180°时，太赫兹信号幅度显著降低且三者振幅大致相等，未出现传播时延。在45°与90°方位角之间观测到480飞秒的太赫兹脉冲振荡时延，这可能源于非极性m-蓝宝石衬底的双折射效应。每个90°方位角处约1太赫兹频段出现的强太赫兹场吸收可归因于低频声子模式。
关键词： 蓝宝石，双折射，时域光谱，太赫兹
更新于2025-09-23 15:23:52
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用于CMOS太赫兹天线阵列增益增强的单倒装芯片封装介质谐振器天线
摘要： 本研究提出了一种介质谐振器天线（DRA），可提升采用0.18微米CMOS工艺实现的2×2太赫兹天线阵列中每个单元的天线增益。该DRA采用低成本集成无源器件（IPD）技术制造，并通过低损耗金凸点倒装焊封装至CMOS天线阵列芯片上。通过设计DRA工作于TE3,δ,9高阶模式，仅需单个DRA（传统方案需四个）即可同步提升2×2天线阵列各单元的增益。这不仅简化了组装流程，还能降低装配成本。此外，由于采用高阻硅材料及高阶模式工作，该DRA能显著增强天线增益。仿真显示，在添加DRA后，2×2 CMOS天线阵列中每个贴片天线在339 GHz频段的增益可从0.1 dBi提升至8.6 dBi。为表征所提DRA，设计了四个相同的功率检测器（PD）分别与2×2太赫兹天线阵列各单元集成。通过测量各PD输出的电压响应度，可获得带DRA天线阵列的增益提升水平与辐射方向图等特性。测量结果与仿真高度吻合，验证了DRA的工作原理。搭载该DRA的四个PD还成功应用于340 GHz太赫兹成像系统演示。据作者所知，该DRA是目前报道中工作于太赫兹频段最高阶模式的器件。
关键词： 硅、倒装芯片封装、太赫兹、CMOS、太赫兹成像系统、天线、高阶模、功率检测器、介质谐振天线
更新于2025-09-23 15:23:52
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基于经典理论计算频域内二阶二维太赫兹光谱的直接方法
摘要： 先前关于二维太赫兹光谱（2DTS）的理论研究仅针对单模系统，且通过计算效率低下的数值模拟进行。为突破这一局限，我们推导出适用于多模系统的基于经典理论的解析解。研究引入了三种典型的弱非线性来源，结果表明该解析解与传统数值模拟结果高度吻合。这项研究不仅为直接计算二维太赫兹光谱提供了更高效实用的方法，在更广泛意义上也为二维太赫兹光谱理论带来了新的启示。
关键词： 太赫兹、二维光谱学、经典方法
更新于2025-09-23 15:23:52
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金属-绝缘体-金属二极管：一种适用于整流天线应用的高频潜在整流器
摘要： 金属-绝缘体-金属（MIM）二极管是高频应用领域最具前景的候选器件之一?；谒泶┲鞯嫉牡缌鞔蓟疲淇墒迪址擅爰冻炜厮俣?，因此在诸多潜在高速应用中（尤其是整流天线能量收集系统中的整流器）引发了广泛研究关注。自20世纪60年代初问世以来，针对整流天线应用的MIM二极管在设计、制造和表征等各方面均取得显著进展。本研究从整流天线应用角度出发，重点分析了MIM二极管在设计与制造方面的技术进步及未来挑战。此外，本文还报道了基于石墨烯（Gr）的Al/AlOx/Gr MIM二极管的制备与表征结果，该器件展现出高度非对称的电流-电压特性，具有大电流密度和良好非线性度——在1V偏压下获得超过2500的非对称比及高达1 A/cm2的对应电流密度，峰值非线性度达3.8，零偏压电阻低至600 Ω。这些性能指标完全满足整流操作需求，因此所制备的Al/AlOx/Gr MIM二极管有望成为整流天线中极具潜力的整流元件。
关键词： MIM二极管、太赫兹、能量收集、隧穿
更新于2025-09-23 15:23:52
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用于药片结晶多晶型物定量的透射低频拉曼光谱法
摘要： 本研究旨在采用新型透射低频拉曼光谱法对药片中的活性药物成分多晶型进行定量分析。我们开发了一种新型低频拉曼光谱透射几何构型，并通过化学计量学比较了透射模式与背散射模式的定量能力。制备了两组药片：1）含不同重量比卡马西平III型；2）含不同比例卡马西平多晶型（I型/III型）。根据药片中卡马西平III型含量与偏最小二乘法（PLS）预测值的关系，发现透射模式的相关系数（R2=0.98）高于背散射模式（R2=0.97）。透射模式的交叉验证均方根误差（RMSECV）为3.9，而背散射模式为4.9。通过透射低频拉曼光谱测量含卡马西平（I型/III型）多晶型混合物的药片，发现光谱形状随多晶型比例变化：实际含量与预测值之间呈现高度相关性。这些结果表明，透射低频拉曼光谱有潜力作为现有多晶型定量分析方法的补充手段。
关键词： 传输、卡马西平、药用片剂、定量分析、低频拉曼光谱、太赫兹-拉曼、晶体多晶型
更新于2025-09-23 15:23:52
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[2018年IEEE第13届纳米/微米工程与分子系统国际年会（NEMS）- 新加坡，新加坡（2018.4.22-2018.4.26）] 2018年IEEE第13届纳米/微米工程与分子系统国际年会（NEMS）- 基于太赫兹技术的微流控系统细胞检测
摘要： 在这项研究中，设计并使用了一种结合太赫兹技术的微流控系统进行细胞检测。由光电导天线产生的太赫兹波信号穿透细胞、培养基及微流控装置材料。反射的太赫兹信号可被探测器收集并转换为频域信号。通过比较这些信号，有助于我们发现特定太赫兹频段内材料的特征信号。此外，将细胞和培养基注入微流控装置后，实验结果表明该方法能够区分不同种类的物质。未来，这种方法可帮助我们在正常细胞中识别癌细胞。
关键词： 太赫兹、微流控、Polyscanner-FL7、细胞成像
更新于2025-09-23 15:23:52
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利用相干边辐射测量S波段直线电子束宏脉冲中束团长度的演化
摘要： 在京都大学自由电子激光装置（KU-FEL）的波荡器直线段中，观测到功率为0.10毫瓦的强相干边缘辐射（CER）。为研究电子束宏观脉冲中束团长度的演化，开发了利用CER光束的技术。实测的空气引出CER光束剖面呈中空结构，类似一阶拉盖尔-高斯模式且水平方向强度不对称，该结果与考虑偏转镜有效面积（用于将光束从FEL光学腔引至空气中）的计算剖面基本吻合。根据CER光束测量谱确定的均方根（RMS）束团长度，在电子束宏观脉冲中为60微米。通过具有短时间常数的二极管探测器在两个频率下测量了电子束宏观脉冲中CER强度的变化，利用双频CER强度比确定了RMS束团长度的演化过程。可以得出结论：该演化与FEL功率的宏观脉冲结构相关。因此，测量多频率下CER强度的演化对控制FEL宏观脉冲具有实用价值。
关键词： 束长、太赫兹、相干边缘辐射、自由电子激光、直线加速器
更新于2025-09-23 15:23:52
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[IEEE 2018年第25届国际集成电路与系统混合设计会议(MIXDES) - 波兰格丁尼亚(2018年6月21-23日)] 2018年第25届国际集成电路与系统混合设计会议(MIXDES) - 基于场效应管探测器的太赫兹以下频段无线通信链路研究
摘要： 本文聚焦于采用（亚）太赫兹波的无线链路开发。文章阐述了作者在太赫兹通信研究与实验方面的初步探索，总结了基于场效应晶体管的太赫兹探测器及读出电路在无线太赫兹数据传输领域的相关理论与研究成果。我们的主要目标是利用（亚）太赫兹载波实现可靠的数据传输——该目标已在170 GHz和289 GHz频段通过实验达成。
关键词： 太赫兹、数据传输、基于场效应晶体管的探测器、无线通信
更新于2025-09-23 15:23:52
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利用太赫兹时域光谱系统识别非导电涂层的厚度
摘要： 有许多非破坏性的涂层评估方法。但其中只有少数适用于沉积在非导电元件上的涂层。本文介绍了太赫兹时域光谱技术在测量薄非导电涂层厚度方面的应用。为开发稳健的涂层厚度识别算法，我们开展了多项实验。实验采用装有少量油的金属容器作为试样，这种试样能方便地获得具有可变涂层厚度的样品。
关键词： 太赫兹、涂层、无损检测
更新于2025-09-23 15:23:52