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oe1(光电查) - 科学论文

120 条数据
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  • 两种不同球磨活化方式下纯纳米晶钛酸钡的相评估

    摘要: 纯纳米晶BaSnO3通过两种方法制备:机械活化(行星式球磨)和玛瑙研钵中机械手动混合,随后均在1350°C/2h条件下烧结。采用X射线衍射(XRD)分析合成过程中的物相形成,并根据衍射图谱主峰通过谢乐公式计算晶粒尺寸。成功合成了具有单一简单立方钙钛矿结构的纳米晶锡酸钡,其晶粒尺寸约为50nm。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)测定键合形成的对称与非对称伸缩振动及晶体结构内离子配位,FTIR研究证实了XRD鉴定的物相,因其验证了分子特征及阳离子配位。扫描电子显微镜(SEM)观察微观结构与形貌,能谱仪(EDX)分析确定组成元素的存在。紫外-可见光谱(UV-VIS)显示样品在紫外区的吸收光谱,带隙通过Tauc关系计算得出。纳米晶锡酸钡的间接跃迁带隙约为2-2.78eV,直接跃迁带隙约为2.78-3.14eV,该数值接近半导体基材料。

    关键词: 傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外-可见光谱(UV-VIS)、纳米晶锡酸钡、能量色散X射线光谱(EDX)、高能行星式球磨、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 氧化锌纳米棒对聚乙烯醇/羧甲基纤维素复合材料结构、热学、介电及电学性能的影响

    摘要: 通过化学气相沉积法(CVD)制备的氧化锌纳米棒经透射电镜(TEM)测定,其长度介于104.12至307.64纳米之间,直径介于21.17至55.88纳米之间。采用浇铸法制备了聚乙烯醇/羧甲基纤维素纳米复合材料与氧化锌(ZnO)。采用多种方法对制备样品进行表征:X射线衍射分析显示这些聚合物样品具有非晶特性,且添加过程使其非晶程度增加;傅里叶变换红外光谱(FTIR)证实了ZnO纳米棒与PVA/CMC共混物的相互作用;扫描电子显微镜(SEM)支持了掺杂剂在聚合物基体中的分散状态;差示扫描量热法(DSC)和热重分析(TGA)用于研究薄膜的热行为,发现导电性最高的聚合物材料具有较低的玻璃化转变温度。通过复阻抗谱法分析了不同温度下作为频率函数的导电性与介电行为,交流电导率符合琼斯彻定律,而直流电导率呈现阿伦尼乌斯行为并随温度升高而增强,且薄膜的活化能随ZnO纳米棒含量增加而降低。纯共混物与纳米复合材料的介电性能因ZnO纳米棒的加入得到提升,且表现出显著的温度依赖性。频率指数(s)与所提出的势垒跳跃模型关联方程高度吻合。这些纳米复合材料样品中直流与交流电导率的显著提升,使其成为电化学器件应用的潜在候选材料。

    关键词: 交流电与介电参数、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、氧化锌纳米棒、扫描电子显微镜(SEM)

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 非线性光学P-二甲氨基苯甲醛晶体的生长及其在光子器件应用中的研究

    摘要: 对二甲氨基苯甲醛(p-DMAB)是一种具有非线性光学(NLO)特性的知名芳香族化合物,在光电子学、光子学等多个应用领域具有重要价值。本研究采用恒温浴慢蒸发法在室温条件下成功培育出p-DMAB单晶,所得晶体尺寸良好且具有透明外观。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、元素分析、紫外光谱(UV)、二次谐波发生(SHG)、光学限幅特性、光致发光(PL)、维氏硬度测试及扫描电镜(SEM)等技术对晶体进行了全面表征:单晶XRD揭示了晶体结构信息,粉末XRD证实材料呈结晶态;FTIR光谱解析了化合物中的特征官能团;CHN元素分析验证了碳氢氮元素的组成比例;紫外可见研究表明材料在整个可见光区具有宽透光窗口,实测折射率排序表明其适用于抗反射涂层器件;优异的线性极化率、磁化率和光学电导数据佐证了其在光学器件制造中的应用潜力;宽光学带隙反映了材料的介电特性;二次谐波测试显示其效率达参比材料KDP的2.03倍,绿色发光现象表明该材料可用于开发绿蓝激光器;光学限幅特性测试证实其适合制备光学限幅器件;PL研究中的分立能级印证了晶体的高纯度;维氏显微硬度测试表明材料硬度、屈服强度和刚度均有所提升;不同放大倍数下的SEM图像显示晶体具有光滑形貌。

    关键词: 傅里叶变换红外光谱、晶体生长、扫描电子显微镜、X射线衍射、维氏硬度、CTB法

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 由α-氧化锌纳米棒组成的薄膜的电输运特性

    摘要: 背景:由于其宽禁带、高激子结合能和高击穿强度,ZnO纳米结构在电子器件、光子器件及高频应用领域具有潜在应用价值。 目的:本研究旨在探究由非晶态ZnO纳米棒组成的薄膜的电输运特性。 方法:采用物理气相冷凝法制备ZnO纳米棒,通过扫描电子显微镜观察其形貌,利用X射线衍射仪记录所制薄膜的X射线衍射图谱,采用四探针法进行直流电导率测量。 结果:制备的ZnO纳米棒直径为10-20纳米,长度达数百纳米量级。由ZnO纳米棒组成的薄膜XRD图谱显示其具有非晶特性。在297-4.2K温度范围内研究了直流电导率的温度依赖性:297-120K区间采用Mott三维变程跳跃传导机制解释电导现象;120-4.2K低温区间则可能由费米能级附近局域态中的二维变程跳跃载流子输运主导。 结论:基于直流电导率数据的温度依赖性分析表明,在整个298-4.2K温区内存在变程跳跃机制(VRH),当温度低于125K时该机制从三维形式转变为二维形式。

    关键词: 物理气相凝聚技术、变程跳跃、X射线衍射、氧化锌纳米棒、扫描电子显微镜、莫特参数、电导机制

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于石榴石薄膜闪烁体的S(T)EM前瞻性闪烁电子探测器

    摘要: 基于新型外延石榴石薄膜闪烁体的扫描电子显微镜和/或扫描透射电子显微镜(S(T)EM)用闪烁电子探测器的性能进行了研究。制备了化学式为(Ce0.01Lu0.27Gd0.74)3–wMgw(Ga2.48Al2.46)O12的LuGAGG:Ce和LuGAGG:Ce,Mg薄膜闪烁体,并对其阴极发光(CL)和光学特性进行了研究,与当前标准块状单晶YAG:Ce和YAP:Ce闪烁体的特性进行了比较。更具体地说,测量了上述闪烁体的CL衰减特性、CL发射光谱、CL强度、光学吸收系数和折射率。此外,还计算了电子相互作用体积与吸收能量分布、光电倍增管(PMT)光阴极匹配度、调制传递函数(MTF)以及采用上述闪烁体的闪烁探测器的光子传输效率。观察到LuGAGG:Ce,Mg薄膜闪烁体的CL衰减时间低至28 ns,在电子束激发后1 μs时的余辉仅为0.02%。根据计算的MTF,采用新薄膜闪烁体的闪烁探测器在0.6 lp/像素以上时失去对比度传递能力,而目前常用的YAG:Ce单晶闪烁体在0.1 lp/像素以上时即已如此。计算还表明,即使对于简单的圆盘形状,新研究的薄膜闪烁体相比标准块状单晶YAG:Ce闪烁体也具有8%更高的光子传输效率。所研究的LuGAGG:Ce,Mg外延石榴石薄膜闪烁体被认为是电子探测器(不仅在S(T)EM中,也在其他电子束设备中)有前景的快速闪烁体。

    关键词: 电子探测器、多组分石榴石薄膜、闪烁体、扫描透射电子显微镜(STEM)、扫描电子显微镜(SEM)、LuGAGG:Ce、镁、阴极发光

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 钇离子对聚乙烯醇(PVA)聚合物薄膜光学和电学行为的影响

    摘要: 通过标准溶液浇铸法合成了掺杂不同重量百分比硝酸钇盐的聚乙烯醇(PVA)薄膜,以研究其功能性电学与光学特性。采用X射线衍射和傅里叶变换红外光谱测量评估了薄膜的结晶结构程度,并通过扫描电子显微镜(SEM)获取表面形貌图像。基于紫外-可见-近红外透射光谱计算了光学参数,同时测定了含不同Y3?重量百分比PVA薄膜的介电常数与直流电阻。所有样品均呈现半晶相结构。SEM图像显示PVA/37 wt% Y3?样品中Y3?团簇平均尺寸增大至1.63微米,导致该样品的光学吸收高于其他样品。PVA/0.037 wt%与PVA/37 wt% Y3?样品的能隙值分别从5.11 eV降至4.47 eV。在高外加电压下观察到聚合物薄膜具有不同斜率值的非线性电流-电压特性——这是压敏电阻材料的典型特征,因此这些薄膜可应用于光电器件和压敏器件等领域。

    关键词: 压敏电阻、电介质、XRD/FTIR、扫描电子显微镜、光学带隙、Y3+掺杂聚乙烯醇

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 圣彼得砂岩中粒间胶结物阴极发光可视化的有效扫描电镜分析技术:一项循环比对实验

    摘要: 阴极发光(CL)作为地球科学和材料研究的分析工具已得到广泛应用。许多矿物在扫描电子显微镜(SEM)高能电子束轰击下会呈现阴极发光现象[1]。由于探测器类型、样品制备方式(环氧树脂包埋、抛光、镀膜)、SEM类型(钨灯丝、六硼化镧、场发射)及分析条件(加速电压kV、束流pA/nA、样品温度)的差异,各实验室的CL成像能力不尽相同。为评估获得高分辨率CL图像的最佳条件,我们启动了实验室间比对研究[2]。石英(及其多形体)因CL响应较弱常难以成像,故选作测试材料。圣彼得砂岩由细至中粒二氧化硅组成,广泛用作水力压裂(压裂法)的支撑剂[3]。要获得最佳CL成像效果,需根据各实验室情况采取适当样品制备流程。对于孔隙发育且颗粒间胶结结构不完整脆弱的圣彼得砂岩,制备抛光样品表面时必须避免颗粒脱落和胶结物移除。本次实验室间比对采用垂直层理取心的单一圣彼得砂岩样品制备抛光试样,将其包埋于环氧树脂并抛光至亚微米级光洁度。选取其中六件样品与其他SEM-EPMA实验室共享,旨在完善胶结物研究和成像的SEM-CL操作规范。截至摘要提交截止日,我们已获得3例CL图像案例,预计在M&M会议前还能补充更多案例。

    关键词: 粒间胶结物,扫描电子显微镜,石英,圣彼得砂岩,阴极发光

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 掺杂Sm3+的铌酸铅钡(PBN)陶瓷的介电和压电性能

    摘要: 通过高温传统固相混合氧化物陶瓷工艺制备了掺杂稀土钐的菱面体铅基陶瓷材料。该陶瓷组成为Pb1-x-3y/2BaxRe3+yNb2O6(x=0.35,y=0.00、0.02、0.04和0.06,Re3+=Sm3+)。粉末X射线衍射(XRD)分析表明,纯相及Sm3+掺杂的铌酸铅钡陶瓷材料均呈现菱面体(六方)对称性的单相结构。所有组分样品的晶粒尺寸测量值介于1.60-2.90微米之间。在纯相及Sm3+离子改性的铌酸铅钡陶瓷材料中均观察到随温度变化的宽化介电峰相变。研究发现Sm3+掺杂铌酸铅钡陶瓷具有较高的压电电荷系数d31和d33值?;灯分室蚴齉m与d33随Sm3+离子浓度增加而提升,表明高极化率的铅离子有助于形成具有高居里温度的介电常数。

    关键词: 扫描电子显微镜、压电性能、菱形(晶系)、陶瓷组合物的合成、介电性、X射线衍射

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 六方氮化硼纳米颗粒增强聚偏氟乙烯纳米复合薄膜的电学与电磁干扰(EMI)屏蔽性能

    摘要: 通过简单通用的溶液浇铸法制备了六方氮化硼纳米颗粒(h-BNNPs)增强的柔性聚偏氟乙烯(PVDF)纳米复合薄膜。阐明了h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜的形貌、热学和电学性能。研究了所制备纳米复合薄膜在X波段频率范围(8-12 GHz)内的电磁干扰(EMI)屏蔽性能。电磁干扰屏蔽效能(SE)从纯PVDF薄膜的1 dB提升至含25 wt% h-BNNPs的h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜的11.21 dB。结果表明,h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜可作为轻质低成本的电磁屏蔽材料。

    关键词: 六方氮化硼、聚偏氟乙烯、扫描电子显微镜、电磁干扰屏蔽、差示扫描量热法、电学性能

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • Sillenite相Bi12TiO20材料的结构、电学及形貌特性

    摘要: 本研究报道了三元体系Bi2O3-TiO2-MgO的探索。通过800°C固相反应合成了部分组分,并采用粉末X射线衍射进行表征。掺杂(α-Bi2O3)使我们稳定了三种与硅铍石结构同型的组分,其化学式分别为Bi0.9Ti0.1O1.55、Bi0.9Ti0.05Mg0.05O1.5和Bi0.8Mg0.1Ti0.1O1.5。利用FullProf程序通过Rietveld方法对合成材料进行了结构解析,该材料结晶为立方晶系,空间群I23,晶格参数a=10.1723(2)?。通过扫描电子显微镜(SEM)研究了合成组分的形貌特性,烧结样品显示出致密均匀的微观结构,其密度接近理论密度的92%。采用包含电容和Warburg阻抗的多种阻抗模型来解释电学分析的奈奎斯特图谱,其中Bi0.9Ti0.1O1.55在600°C时表现出最高电导率(σ=1.39E-07)。

    关键词: 电阻抗、扫描电子显微镜、光谱学、X射线衍射、硅酸铋晶体

    更新于2025-09-23 15:21:21