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具有可调耐酸性的锆掺杂氧化铟有源层的背沟道蚀刻薄膜晶体管
摘要： 本文开发了一种可调耐酸性的锆掺杂氧化铟（ZrInO）半导体材料。详细研究表明，ZrInO薄膜的耐酸性具有可调性且随退火温度升高而增强。利用这一特性，我们成功制备了基于可调耐酸ZrInO薄膜的背沟道刻蚀型（BCE）薄膜晶体管（TFT）。采用BCE结构的ZrInO-TFT展现出优异电学性能：饱和迁移率达21.4 cm2V?1s?1，亚阈值摆幅为0.28 V/十倍频程，开关电流比达1.0×10?。这些结果表明，所开发的具有可调耐酸性的ZrInO半导体在BCE-TFT沟道层应用中具有良好的前景。
关键词： 氧化物半导体，阳极氧化铝（Anodic Al2O3），可调谐耐酸锆掺杂氧化铟（ZrInO），背沟道蚀刻（BCE），薄膜晶体管（TFTs）
更新于2025-09-09 09:28:46
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一种双功能超氧化物前驱体用于改善氧化物薄膜晶体管的电学特性
摘要： 我们研究了一种利用双功能超氧化钾前驱体同时提升溶液法制备的锌锡氧化物薄膜晶体管（ZTO TFTs）迁移率和可靠性的方法。超氧化钾（KO2）前驱体中的钾阳离子作为ZTO薄膜中的载流子供体，提高了载流子（电子）浓度，从而使钾掺杂的ZTO TFT展现出高迁移率。该前驱体中的阴离子以超氧自由基形式存在，在氧化薄膜形成过程中减少氧空位。因此，与原始ZTO TFT相比，经KO2处理的ZTO TFT展现出更优的迁移率和可靠性：在经过5000秒正偏压温度应力测试后，其场效应迁移率从5.57提升至8.74 cm2/Vs，阈值电压漂移从7.18降至3.85 V。
关键词： 氧化物半导体，超氧自由基，溶液法，双功能前驱体，薄膜晶体管
更新于2025-09-09 09:28:46
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研究锌酮亚胺作为ZnO薄膜溶液沉积的新型前驱体材料
摘要： 氧化锌（ZnO）被认为是最具前景的金属氧化物半导体材料之一，适用于低成本薄膜晶体管（TFT）的制备。本研究展示了一种简单、无需稳定剂且高效的化学溶液沉积（CSD）方法来生长高质量ZnO薄膜。关键突破在于发现一种高溶解度的锌酮亚胺前驱体——该物质在环境条件下易水解并快速解离配体，从而实现在温和工艺条件下直接制备ZnO薄膜的简化流程。经中温热处理后，前驱体完全分解形成多晶ZnO薄膜，这一结果通过X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）得到验证。采用X射线光电子能谱（XPS）和卢瑟福背散射光谱（RBS）等互补技术分析成分，证实获得高纯度ZnO薄膜。通过紫外-可见光谱（UV-Vis）测定了其透光率和光学带隙等功能特性。采用旋涂法制备该透明ZnO半导体薄膜作为薄膜晶体管的活性沟道层，随后在空气中固化即可形成厚度仅10纳米的薄膜，足以制造可工作的TFT测试结构。
关键词： 氧化物半导体、无添加剂溶液加工、成分、薄膜晶体管
更新于2025-09-04 15:30:14
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P-1.13：源极/漏极材料对氧化物半导体薄膜晶体管的影响
摘要： 随着技术进步，为降低显示面板的负载，一些研究人员已开展关于源/漏电极对a-IGZO基薄膜晶体管性能影响的研究。本文选用氧化铟镓锌（IGZO）作为有源层材料，采用四种不同类型的源/漏材料——包括氧化铟锡（ITO）、铝（Al）、铝掺杂氧化锌（AZO）和镓掺杂氧化锌（GZO）——来探究不同源/漏材料对氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）特性的影响。结果表明，以AZO作为源/漏电极的TFT展现出优良特性。经过200℃退火后，采用AZO源/漏电极的TFT输出特性更佳且其源/漏串联电阻较低。本研究认为AZO有望成为未来显示技术中可应用的源/漏材料。
关键词： AZO、薄膜晶体管、IGZO、氧化物半导体、源/漏极材料
更新于2025-09-04 15:30:14