修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

206 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的两端太赫兹探测器

    摘要： 我们报道了一种制备两端天线耦合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频太赫兹探测器的方法。通过氟离子注入提高AlGaN/GaN二维电子气的阈值电压，可获得使探测器在零栅压或栅极悬浮状态下响应度最大化的最佳注入剂量。研究获得了离子剂量与阈值电压、电子迁移率、电子浓度、响应度及等效噪声功率（NEP）之间的关系。在0.65 THz频率下，该两端探测器实现了47 W/√Hz的最小光学NEP。两端工作模式的优势在于：无需在天线阵列周围布置负栅压线路，且能最大限度降低栅极漏电流，从而便于设计大规模天线耦合高电子迁移率晶体管探测器阵列。

    关键词： 双端操作、太赫兹探测器、氮化铝镓/氮化镓、氟离子注入、高电子迁移率晶体管

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019化合物半导体周（CSW）- 采用p-GaN/AlGaN/GaN异质结构的高响应度低暗电流紫外光电探测器

    摘要： 本文报道了一种具有高响应度和高光电暗电流比（Iph/Idark）的p-GaN/AlGaN/GaN异质结光电探测器（PD）。由于p型GaN对异质结中二维电子气的本征耗尽作用，该探测器在保持AlGaN/GaN异质结器件高光电流和高响应度优势的同时，显著抑制了暗电流。因此，在365 nm波长、5 μW/mm2强度的紫外光照射下，器件在5 V偏压时实现了2×10? A/W的大响应度和10?的高Iph/Idark值。此外，该器件还展现出约3000的优异紫外-可见光抑制比。与已有报道相比，本工作器件的卓越性能表明基于p-GaN/AlGaN/GaN异质结的光电探测器在高灵敏度紫外探测领域具有重要应用潜力。

    关键词： p型氮化镓、氮化镓/铝镓氮异质结构、紫外光电探测器

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [2018年IEEE第七届世界光伏能源转换大会(WCPEC)（第45届IEEE光伏专家会议、第28届光伏科学与工程会议及第34届欧洲光伏专家会议联合会议）- 美国夏威夷威科洛亚村（2018年6月10日-15日）] 2018年IEEE第七届世界光伏能源转换大会(WCPEC)（第45届IEEE光伏专家会议、第28届光伏科学与工程会议及第34届欧洲光伏专家会议联合会议）- 氮化镓/硅纳米异质结构阵列器件的光电特性

    摘要： 采用化学气相沉积（CVD）法，以硅纳米多孔柱阵列（Si-NPA）功能衬底合成了氮化镓/硅纳米异质结构阵列。制备了n型氮化镓纳米柱/p型硅纳米晶纳米异质结阵列太阳能电池，其中氮化镓纳米柱沿[0001]晶向生长。该器件在300-1200 nm波长范围内平均积分反射率约为4.79%。该太阳能电池开路电压（Voc）为0.82 V，短路电流密度（Jsc）为23.21 mA/cm2，填充因子（FF）为38.3%，最大光电转换效率达7.29%。该研究为光伏领域大规模制备纳米异质结提供了新思路。

    关键词： 太阳能电池，氮化镓（GaN），纳米异质结构阵列，硅纳米多孔柱阵列（Si-NPA）

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 具有雪花状p电极和复合纹理侧壁的Micro LED特性

    摘要： 我们展示了一种结合纹理化侧壁与复合凹凸圆形雪花状p电极的混合结构，这是提升微LED光学性能而不损害电学特性的有效方法。与具有平坦侧壁和圆盘形p电极的器件相比，采用凹凸六分支圆形雪花状p电极的器件饱和光输出功率提升了36.85%，且在1732.4 A/cm2电流密度下正向电压降低了7.6%。性能提升主要归因于凹凸圆形复合纹理侧壁减少了全内反射，以及六分支雪花状p电极改善了电流分布。

    关键词： 复合纹理侧壁、微型发光二极管、氮化铟镓/氮化镓、电极图案、电流拥挤

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 柔性显示器生产中激光剥离工艺的牺牲层

    摘要： 在本研究中，我们为激光转移工艺开发了一种新型牺牲层（SL）。通过玻璃粉末将金属基底（即殷钢箔）临时贴合在玻璃基底上。为确保成功剥离，在金属箔与玻璃基底之间预先沉积了牺牲层。首次采用非晶氮化镓和非化学计量氧化镓作为牺牲层，应用于金属箔的激光剥离（LLO）工艺。金属箔与玻璃片的键合通过热处理实现，而剥离则通过LLO方法完成。激光波长选用355 nm，该波长能被牺牲层完全吸收。通过透射电子显微镜、元素分布分析和能量色散X射线光谱分析，研究了元素迁移及键合-剥离机制。

    关键词： 氧化镓，柔性显示器，氮化镓，激光剥离，牺牲层

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于凹凸圆形复合结构侧壁的InGaN基微发光二极管光提取效率增强

    摘要： 我们证明，采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀制备的凹凸圆复合结构侧壁，是提高微发光二极管（LED）光效而不损害电学特性的有效方法。使用半径为2微米的凹凸圆复合结构侧壁的器件，其饱和光输出功率达到39.75毫瓦，较采用平面侧壁的器件提升了7.2%。光输出特性的增强主要归因于通过减少全内反射（同时不损失有源区面积）增加了光子发射量。

    关键词： ICP、微发光二极管、光提取效率、氮化铟镓/氮化镓、凹凸圆形复合结构侧壁

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 利用亚带隙激发的飞秒激光剥离技术制备独立式氮化镓LED芯片

    摘要： 展示了一种从蓝宝石衬底剥离氮化镓基LED结构的新方法。该方案通过扫描超短（350飞秒）绿光脉冲至样品背面，利用氮化镓/蓝宝石界面的双光子吸收实现LED剥离，并对相应能量密度区间进行了细致研究。阴极荧光测量证实激光剥离后器件保持稳定的发光特性。

    关键词： 氮化镓、发光二极管、飞秒激光、非线性光学、激光剥离技术

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥市(2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 用于荧光应用的微LED波导

    摘要： 报道了一种用于荧光传感的微LED耦合多模平板波导。该器件由一维微LED阵列与亚毫米级聚合物平板耦合构成，可对表面荧光分析物进行倏逝波激发。实验证明了该器件对低至0.2 pM/cm2浓度的半导体纳米晶体的原理性检测能力。

    关键词： 荧光、量子点、氮化镓、发光二极管

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [IEEE 2019年第14届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 法国巴黎(2019.9.30-2019.10.1)] 2019年第14届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 嵌入波导金属陶瓷封装的10W K波段GaN MMIC放大器

    摘要： 本文描述了一种用于空间应用的10W K波段封装放大器的设计方法和特性。该单片微波集成电路（MMIC）基于UMS公司新型0.15微米栅长氮化镓（GaN）技术，在碳化硅（SiC）衬底上开发而成，作为17.3-20.2 GHz频段下行卫星发射机的末级放大器。围绕该MMIC专门研发了密封封装，配备输出波导过渡结构（兼容WR51标准），可实现固态功率放大器（SSPA）输出合路器中的低损耗集成。该封装高功率放大器（HPA）在连续波（CW）模式下测试时，在90°C封装背面温度条件下达到饱和输出功率10W，对应功率附加效率（PAE）为35%，幅度-相位（AM-PM）变化为10°。

    关键词： 氮化镓、单片微波集成电路、高功率放大器、波导、K波段、气密封装

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于宽禁带材料的半导体功率器件研究进展概述

    摘要： 宽禁带材料因其优异的物理特性（如更高的热导率和卓越的电学性能）引起了科学家和工程师的广泛关注。目前，基于宽禁带材料的半导体功率器件研究已取得重大进展。新开发的WBG（宽禁带）功率器件——例如1200V直驱碳化硅JFET功率开关和高可靠性的氮化镓MOS HFET——相比传统硅基功率器件展现出更优的性能与优势。这些功率器件通过成功商业化已广泛应用于多个领域，其可靠性与有效性得到了充分验证。WBG功率器件的应用显著提升了电路性能，推动了新一代电子产品的演进。本文重点介绍几种基于宽禁带材料（包括氮化镓、IGBT、JFET、MOSFET、整流器及其碳化硅对应器件）的功率器件最新研究进展与成果，分别探讨并比较它们的特性、性能及相应应用场景，随后阐述这些器件存在的缺陷与局限及相应的解决方案，最后分析宽禁带功率器件未来的发展趋势与前景。

    关键词： 整流器、氮化镓（GaN）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、宽禁带材料、碳化硅（SiC）、结型场效应晶体管（JFET）、半导体功率器件

    更新于2025-09-11 14:15:04