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- 2019
- A. 银纳米粒子 B. 碳纳米管 E. 原位监测 D. 烧结 F. 电学性能 C. 纳米复合材料
- 复合材料与工程
- Gachon University
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化学溶液沉积法制备的BiFeO?薄膜局部电学特性的电极依赖性
摘要： 采用一系列扫描探针显微技术（包括静电力显微镜EFM、扫描开尔文探针显微镜SKPM、压电响应力显微镜PFM和导电原子力显微镜CAFM），研究了脉冲激光沉积La0.67Sr0.33MnO3//SrTiO3(001)薄膜异质结构上化学溶液沉积法制备的BiFeO3纳米尺度电学特性。EFM和SKPM证实了化学溶液沉积法制备的BFO薄膜具有p型导电特性，并在施加偏压后出现表面电荷积累现象。对于固定厚度（约35纳米）的BiFeO3薄膜，CAFM测得的局部电流-电压(I-V)特性强烈依赖于La0.67Sr0.33MnO3底电极厚度。当La0.67Sr0.33MnO3厚度为20纳米时，BiFeO3薄膜呈现由极化取向主导的典型可开关二极管行为；但当La0.67Sr0.33MnO3厚度减至5纳米以下时，在±4V偏压范围内无论极化取向如何，BiFeO3薄膜仅显示正向二极管特性。更高扫描偏压（±8V）会导致二极管击穿，随后BiFeO3薄膜表现出显著电阻开关效应。这种电阻开关效应的触发机制被认为与超薄LSMO情况下对BFO-LSMO界面载流子积累/耗尽高度敏感的界面能带结构有关。
关键词： 化学溶液沉积、铁电体、电学性能、超薄镧锶锰氧化物、p型铋铁氧体薄膜
更新于2025-09-23 15:23:52
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n-ZnO/p-Si异质结的CuI薄层界面钝化
摘要： ZnO/Si异质结二极管可与硅工艺集成，近年来备受关注。然而，ZnO/Si异质结界面存在的大量界面态可能对其光电性能产生不利影响。本研究在p型Si衬底上沉积n型ZnO薄膜形成n-ZnO/p-Si异质结基底，并通过在ZnO/p-Si异质结界面插入薄层CuI薄膜作为界面钝化层来钝化ZnO/Si界面。通过I-V和C-V特性曲线等电学表征证实：该异质结的正向电流注入增强、反向电流降低且整流比提升，其性能得到显著改善。结果表明界面钝化对ZnO/Si异质结至关重要。
关键词： 碘化亚铜，异质结，界面态，电学性能，氧化锌/ p型硅
更新于2025-09-23 15:23:52
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低温烧结对银纳米粒子/碳纳米管复合薄膜表面形貌及电学性能的影响
摘要： 银纳米粒子（AgNP）/碳纳米管（CNT）复合材料因其多种应用前景而备受关注，尤其在需要透明性的领域。然而，关于AgNP/CNT复合材料的界面相互作用及稳定性研究甚少。本研究采用分散的AgNP包覆多壁CNT制备透明涂层，并对其进行不同退火条件处理，系统考察了AgNP修饰CNT透明复合薄膜的表面形貌变化与界面构型演变规律。特定条件下，熔融的AgNP聚集体将CNT束粘合在一起，从而提升了实测电学性能。通过原位电学性能测试，实现了AgNP烧结机制与形貌观测结果的关联分析。值得注意的是，在给定温度下，初始薄膜密度增大会延长AgNP完全烧结所需时间。结果表明，电阻值可作为间接监测透明AgNP修饰CNT复合薄膜网络状态的工具，为精准调控复合薄膜性能以满足特定应用需求开辟了新途径。该发现同时阐明了当前纳米填料增强聚合物纳米复合材料的机理。
关键词： A. 银纳米粒子 B. 碳纳米管 E. 原位监测 D. 烧结 F. 电学性能 C. 纳米复合材料
更新于2025-09-23 15:22:29
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原位水热法制备CdS/g-C3N4纳米复合材料以增强光催化水分解性能
摘要： 本工作通过原位水热合成法制备了一系列不同CdS质量分数的CdS/g-C3N4纳米复合材料。其中10 wt% CdS/g-C3N4纳米复合材料展现出最高的光催化析氢速率，其产氢速率分别是纯g-C3N4的21倍和纯CdS的4倍。光催化活性增强的关键因素可归因于CdS/g-C3N4纳米复合材料电荷分离效率的提升和比表面积的增加。这些发现可为未来其他光催化多材料纳米复合材料的制备提供研究平台。
关键词： 纳米复合材料、光催化、太阳能燃料、电学性能、制氢
更新于2025-09-23 15:22:29
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</sub> ) 夹层
摘要： 采用电容/电导-电压（C/G-V）测试方法，在5-500 kHz频率范围内室温测量了高介电常数Au/n-Si金属-半导体结构的电学与介电特性。通过低频-高频电容法和Nicollian-Brews法分别从C、G数据中提取了界面态（Nss）和电阻（Ri）的电压依赖特性曲线?；贑、G数据计算了复介电常数（ε'、ε''）、电模量（M'、M''）及交流电导率（σac）的实部与虚部。所有参数均与频率和电压强相关，尤其在低频区受麦克斯韦-瓦格纳弛豫和界面态显著影响。Nss-V与Ri-V曲线中的观测峰可归因于M/S界面处界面态的特殊分布。结果表明：[2%石墨烯钴掺杂（Ca3Co4Ga0.001Ox）]中间层具有高介电常数，可作为M/S界面的传统SiO2替代层，既能提升电容值/电荷/能量存储能力，又可同时降低界面态密度和串联电阻（Rs）。交流电导率σ在中低频区基本恒定，但在对应直流与交流电导率的高频区开始显著上升。
关键词： 电学性能、纳米结构、介电性能、石墨烯、聚合物
更新于2025-09-23 15:22:29
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具有分布式和局部化导电插入物的手性介电结构中的高频电磁能量现象
摘要： 具有导电插入物的手性介电结构倾向于根据其特定架构以特殊方式集中电磁能量。该研究分析了GHz频率下高传输水平时相关的加热效应，这些研究适用于与电磁屏蔽相关的应用。有利的屏蔽结构在明确界定的情况下可能会承受机械应力及/或加速老化机制。
关键词： 数值分析、电学性能、蜂窝结构、热分析
更新于2025-09-23 15:22:29
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多层溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜晶体管电学特性异常研究
摘要： 制备了一组底栅氧化锌（ZnO）薄膜晶体管（TFTs），其有源层包含1、4和8层旋涂法制备的ZnO，并分析了其电学特性（如晶体管传输特性和电容-电压特性）。单层ZnO晶体管的跨导呈现单峰特征；而多层ZnO晶体管的跨导与电容-电压特性则出现多峰及驼峰状波动。这些多层结构通过重复旋涂工艺生长，形成了ZnO-ZnO层间界面。与空气接触的ZnO层表面存在活性位点，导致后续沉积前环境气体（如氧气）发生化学吸附。被化学吸附的物质带负电荷并形成电荷层，从而耗尽表面/界面区域。研究认为ZnO-ZnO层间界面处耗尽层的形成是导致观测异常现象的主要原因。
关键词： 溶胶-凝胶法，氧化锌，旋涂法，薄膜晶体管，电学性能，界面缺陷
更新于2025-09-23 15:22:29
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基于N,N-二甲基氨基-4'-N'-甲基二苯乙烯基-2,4,6-三甲基苯磺酸盐(DSTMS)-石墨烯复合薄膜的电学与光学响应
摘要： 首次制备并系统研究了石墨烯浓度为2%的N,N-二甲基氨基-4′-N′-甲基二苯乙烯基碘鎓四(2,4,6-三甲基苯磺酸)盐(DSTMS)-石墨烯非原位与原位复合薄膜。XRD分析证实了DSTMS基复合薄膜的结晶度，FT-IR可获得复合薄膜的官能团信息。通过UV-Vis-NIR光谱分析记录光学吸收特性，并计算了薄膜的带隙和消光系数。TG/DSC分析了复合薄膜的热稳定性。压敏电阻测试表明，添加石墨烯后复合薄膜的压敏信号显著增强，而DSTMS薄膜的信号最终消失。该工作通过掺杂石墨烯拓展了有机非线性晶体DSTMS在光学和电学领域的应用。
关键词： DSTMS、电学性能、石墨烯、复合薄膜、光学性能
更新于2025-09-23 15:21:21
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六方氮化硼纳米颗粒增强聚偏氟乙烯纳米复合薄膜的电学与电磁干扰（EMI）屏蔽性能
摘要： 通过简单通用的溶液浇铸法制备了六方氮化硼纳米颗粒（h-BNNPs）增强的柔性聚偏氟乙烯（PVDF）纳米复合薄膜。阐明了h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜的形貌、热学和电学性能。研究了所制备纳米复合薄膜在X波段频率范围（8-12 GHz）内的电磁干扰（EMI）屏蔽性能。电磁干扰屏蔽效能（SE）从纯PVDF薄膜的1 dB提升至含25 wt% h-BNNPs的h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜的11.21 dB。结果表明，h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜可作为轻质低成本的电磁屏蔽材料。
关键词： 六方氮化硼、聚偏氟乙烯、扫描电子显微镜、电磁干扰屏蔽、差示扫描量热法、电学性能
更新于2025-09-23 15:21:21
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透明导电材料（材料、合成、表征、应用）|| 用范德堡法表征电学性能
摘要： 范德堡法是测量各种材料电学特性最常用的技术之一，对透明导电材料的表征同样有效。该方法由范德堡提出，用于测量任意形状样品的电阻率和霍尔效应。虽然样品形状不限，但必须保持平整，其上安装的电极应足够小且位于样品边缘。此外，样品内部不得存在孤立孔洞。
关键词： 范德堡法、电阻率、电学性能、霍尔效应、透明导电材料
更新于2025-09-23 15:21:21