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oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
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  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 在PERC电池中插入低折射率介质背反射器：挑战与机遇

    摘要： 基于2.5纳米尺寸硅量子点/二氧化硅多层结构的发光器件已制备完成。该器件在直流驱动条件下实现了明亮的白光发射，其开启电压低至5伏。在方波和正弦波交流驱动条件下观测到频率依赖性的电致发光强度变化。研究发现施加正弦交流电时，发射波长会随频率改变。交流驱动条件下经过3小时测试后发光强度衰减小于12%，展现出比直流驱动更优的器件稳定性。

    关键词： 电致发光（EL），直流电（dc），硅量子点（Si QDs），频率依赖性

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第八届先进光电子学与激光国际会议(CAOL) - 保加利亚索佐波尔(2019.9.6-2019.9.8)] 2019年IEEE第八届先进光电子学与激光国际会议(CAOL) - 天然气加热快速控制中的未授权行为评估

    摘要： 已制备出基于2.5纳米尺寸Si量子点/SiO2多层结构的发光器件。在直流驱动条件下实现了明亮的白光发射，器件启亮电压低至5伏。在交流方波和正弦波条件下观察到电致发光强度的频率依赖性。研究发现施加正弦交流电时发射波长随频率变化。在交流驱动条件下经过3小时测试后发光强度衰减小于12%，显示出比直流驱动更好的器件稳定性。

    关键词： 电致发光（EL），直流电（dc），硅量子点（Si QDs），频率依赖性

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过电致发光研究再生条件下Cz-Si太阳能电池中硼氧中心失活的直接检测

    摘要： 我们研究了掺硼p型直拉法生长硅（Cz-Si）太阳能电池中硼氧缺陷的再生动力学，重点考察了再生条件（即高温140°C）下过剩载流子浓度Δn的影响。通过向暗态电池施加不同正向偏压（Vappl），并在电池再生过程中分时段直接测量其电致发光（EL）信号，我们能够针对每个施加电压直接测定再生过程中的Δn。除EL信号外，我们还测量了再生过程中流经电池的电流——该电流与电池整体复合速率成正比，因而能反映再生过程中体区复合特性的变化?；诓獾玫氖北涞绯氐缌鳎颐侨范伺鹧跞毕莸氖Щ钏俾食Ｊ齊de。实验结果明确显示：再生过程中Rde与Δn呈正比增长关系。

    关键词： 硼氧缺陷、注入、再生、电致发光（EL）、载流子、钝化发射极和背面电池（PERCs）、直拉法生长硅、光致衰减（LID）

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 标准CMOS工艺中高光功率密度正向偏置硅LED的电致发光光谱分析

    摘要： 采用标准互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺制备了具有高功率密度p?-n结和楔形电极的硅发光二极管（Si-LED），并测量了其在不同正向电流下的电致发光（EL）光谱。通过研究EL光谱，发现了两个有趣的现象：一是随着正向电流增大，EL光谱主峰从长波长（1135 nm）向短波长（1078 nm）移动；二是观测到两个能量高于带隙（Eg）的发光峰。本研究首次对这两个现象给出了合理解释：峰值移动是由于正向电流增大时，无需声子辅助的束缚激子电子-空穴对复合速率，快于需要声子辅助的束缚或自由激子复合速率；而两个高能发光峰的存在则是由于强电场作用下，热空穴从晶格吸收一个或两个声子后与导带电子复合所致。

    关键词： 楔形针尖电极，CMOS标准技术，电致发光（EL）光谱，硅基发光器件（Si-LEDs），强电场

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 基于GaN的GITs和HD-GITs中的热电子俘获与空穴诱导去俘获

    摘要： 本文研究了无p漏极电极和有p漏极电极的栅极注入晶体管（GITs与混合漏极嵌入式GITs，简称HD-GITs）中的陷阱机制，这两种器件分别用于注入空穴以降低电荷俘获效应。我们对比了两种器件在关态和半开态下的表现，探究热电子对电荷俘获的促进作用。分析基于脉冲特性测试、瞬态测量及电致发光（EL）表征的综合结果，得出以下关键结论：1）当关态下诱发陷阱时，GITs与HD-GITs具有相当且可忽略的动态导通电阻（RON）；半开态条件下GITs出现显著动态RON上升，而HD-GITs相较关态未呈现额外陷阱效应；2）半开态下持续至VDS=500V的EL表征显示特征相似，表明两者的电场强度与热载流子密度相近，由此推断两组样品的热电子俘获速率相同，动态RON差异应源于不同的去俘获速率；3）瞬态RON测量证实关态填充的陷阱与半开态热电子填充的陷阱相同（激活能Ea=0.8eV，可能为碳氮复合体CN）；4）恒定偏压下的EL分析显示，GITs在VDS=300V偏置时漏极端发光信号随时间增强——该热电子俘获特征在HD-GITs中未观测到?；谑笛橹ぞ荩颐堑贸鼋崧郏喊肟翯ITs与HD-GITs的主要差异在于，通过p漏极空穴注入实现了更快的热电子去俘获速率。

    关键词： 门注入晶体管（GITs）、电致发光（EL）、氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）、陷阱效应、热电子

    更新于2025-09-10 09:29:36