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六方相三(8-羟基喹啉)铝(Alq?)晶体的精细制备与光学波导特性
摘要: 本文报道了六方相三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq3)微晶的精确生长及其光学波导特性。通过十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)辅助的表面活性剂组装生长法制备了六方相Alq3微晶,其结晶过程源于分子自组装与堆积作用。我们通过调节Alq3与CTAB的摩尔比来控制结晶程度。分别采用场发射扫描电子显微镜和X射线衍射实验研究了Alq3微晶的形成过程与晶体结构。通过固态激光共聚焦显微镜-光致发光光谱和电荷耦合器件图像分别测试了Alq3微晶的发光效率与颜色特性。对各向异性的六方相Alq3微晶进行了光学波导性能测量。结果表明,结晶态Alq3微晶是开发光通信器件的理想材料。
关键词: 光致发光、结晶度、有机金属、表面活性剂、Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、共聚焦显微镜、波导
更新于2025-11-21 11:24:58
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基于溶胶-凝胶合成的狭缝涂布TiO?薄膜形貌相图
摘要: 通过狭缝涂布印刷技术制备了具有定制纳米结构的中孔二氧化钛薄膜,该技术是一种简单、经济高效的薄膜沉积工艺,具备大规模制造潜力。基于这一工业友好型技术,二氧化钛薄膜具有与聚合物半导体器件相似的优势,例如易于规?;Mü降那抖喂簿畚锔ㄖ芙?凝胶合成法,实现了包括泡沫状纳米结构、纳米线聚集体、塌陷囊泡和纳米颗粒在内的多种二氧化钛形貌。通过调节反应物的重量分数,在去除模板后探究了印刷二氧化钛薄膜的三元形貌相图。分别采用扫描电子显微镜和掠入射小角X射线散射技术研究了表面及内部形貌演变。特别关注泡沫状二氧化钛纳米结构,因其对太阳能电池应用等具有特殊价值。当二氧化钛前驱体异丙醇钛(TTIP)的重量分数较低时,可获得具有高均匀性且大孔径的泡沫状二氧化钛薄膜。通过X射线衍射和透射电子显微镜验证了高结晶度二氧化钛薄膜的锐钛矿相。
关键词: 二氧化钛薄膜、结晶度、形貌相图、印刷、掠入射小角X射线散射(GISAXS)
更新于2025-11-21 11:20:42
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加工条件对P3HT薄膜添加剂DISC图案化的影响
摘要: 在亚微米尺度上开发半导体聚合物器件图案化方法具有重要需求。掺杂诱导溶解控制(DISC)图案化是一种新近发表的半导体聚合物图案化方法,已实现亚微米级分辨率。该方法通过向共轭聚合物中依次添加分子掺杂剂(此处为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基喹啉二甲烷(F4TCNQ))发挥作用:掺杂区域的?;す查罹酆衔锩庥谌芙猓床粼忧蛟蚴咕酆衔锶芙獾饺芤褐?。本研究探究了影响图案分辨率的关键因素,确定聚合物初始结晶度(本文采用聚(3-己基噻吩)(P3HT))和显影溶剂质量是两个决定性要素。研究发现掺杂剂在高度结晶的P3HT薄膜中比非晶薄膜更易扩散,且掺杂剂扩散会降低图案保真度;同时显影溶剂的选择会影响图案保真度及掺杂剂在图案化聚合物域内的分布。最终证实,使用在P3HT薄膜中扩散速度慢于F4TCNQ的掺杂剂可实现更高保真度的薄膜图案化。这些发现共同为优化任意聚合物/掺杂剂组合的加法型DISC图案化提供了路线图。
关键词: 结晶度、半导体聚合物、显影溶剂、图案保真度、P3HT、DISC图案化、F4TCNQ
更新于2025-11-21 11:08:12
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采用硅烷和甲烷作为前驱体,在热丝化学气相沉积技术中腔室压力对硅薄膜结晶度和成分的影响
摘要: 热丝化学气相沉积是一种多功能技术,与等离子体增强化学气相沉积(1-2 ?/秒)相比,它能以更高的沉积速率(约5-10 ?/秒)沉积a-Si:H和nc-Si薄膜。我们报道了通过在热/催化分解过程中向硅烷中添加甲烷,在极高沉积速率(≥40 ?/秒)下制备高度结晶的硅薄膜。在衬底温度为300°C、灯丝温度为2000°C的条件下,通过改变腔室压力(10-100 Pa)沉积了一系列薄膜。使用氢稀释硅烷(10%硅烷在氢气中)和纯甲烷作为前驱体,并保持气体流量比恒定为10。在较低压力(≤20 Pa)下制备的薄膜具有更高的结晶度且不含任何碳原子痕迹。当压力增加时,带隙从1.24 eV增加到1.63 eV。研究发现,腔室压力在决定这些薄膜的结晶度、无序度和组成方面起着关键作用。在氢稀释硅烷中添加甲烷提高了低压(≤20 Pa)下硅薄膜的沉积速率和结晶度。在压力超过20 Pa时,检测到碳原子的特征信号。当压力>100 Pa时,获得了SiC薄膜。
关键词: 沉积速率,硅薄膜,结晶度,热丝化学气相沉积
更新于2025-11-21 11:01:37
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[2018年IEEE国际电气工程与光子学会议(EExPolytech) - 俄罗斯圣彼得堡 (2018.10.22-2018.10.23)] 2018年IEEE国际电气工程与光子学会议(EExPolytech) - 聚酰亚胺印刷电路板中空间电荷弛豫的特性
摘要: 聚酰亚胺薄膜被广泛用作印刷电路板的基材。电介质基材中空间电荷的积聚过程并不理想,因为空间电荷会扭曲电路参数。本研究致力于探究不同结晶度的热塑性聚酰亚胺R-BAPB薄膜中电荷的积聚与弛豫现象,旨在降低积聚电荷量及其弛豫时间。通过分析弛豫机制,确定了缩短空间电荷弛豫时间的方法。
关键词: 印刷电路板、导电性、驻极体、同号电荷、弛豫、电晕放电、空间电荷、结晶度、聚酰亚胺
更新于2025-09-23 15:22:29
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定制化超结晶、高分子量聚己内酯薄膜:兼具优异氧气阻隔性与光学性能的简易可扩展制备方法
摘要: 该研究提出了一种简便且可扩展的方法,通过开环聚合制备定制化的高分子量、超结晶生物可降解聚合物聚己内酯(PCL)。通过调节单体:引发剂:催化剂的摩尔比,结合有机金属催化剂(辛酸亚锡)和无毒结构对称的引发剂乙二醇(EG),成功制备了线性PCL均聚物。采用FTIR、NMR和GPC验证了分子量超过90000 Da的高分子量PCL均聚物的形成。通过DSC、XRD、HRTEM、SAED图谱和POM分析,全面研究了PCL的超结晶特性(结晶度>%Xc>70%)及独特晶体形貌??⒌娜芗磷杂晒ひ赵谧畹?小时反应时间内即可实现约99%的高转化率,表明其具有成本效益,且可扩展至更大规模(5000 mL)而不影响最终产品性能。所制备的超结晶高分子量PCL薄膜表现出优异的氧气阻隔性(~197 cm3·mm?1·day?1)、表面自由能(133.7 mN/m)和光学透明性,适用于低温柔性包装和生物医学等特定应用领域。
关键词: 聚己内酯[PCL]、结晶度、氧气阻隔性能
更新于2025-09-23 15:21:21
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通过提高聚合物结晶度来增强膜渗透性:聚噻吩的独特案例
摘要: 膜技术领域普遍认为,聚合物膜中的结晶区对液体或气体传输没有贡献。本研究通过合成聚(3-烷基噻吩)类(P3ATs)均聚物和无规共聚物,探究超分子结构对膜气体分离性能的影响。采用KCTCP法聚合单体后,GPC分析显示聚合物具有窄分散性。DSC分析表明,与共聚物不同,均聚物发生了结晶,证实其具有更高程度的超分子有序性——这一结论得到聚合物薄膜UV-vis吸收光谱的佐证:均聚物在600 nm附近出现红移和特征肩峰吸收,而共聚物则无此现象。更令人惊讶的是,均聚物的CO2渗透率比共聚物高出两个数量级,且选择性更优。
关键词: 选择性、气体分离、渗透性、膜技术、超分子组织、聚(3-烷基噻吩)、结晶度
更新于2025-09-23 15:21:21
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[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC)- 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC)- 新型热塑性聚烯烃封装材料在晶体硅光伏组件应用中的结晶度与热稳定性测定
摘要: 热塑性聚烯烃(TPO)是专为晶体硅光伏组件层压工艺开发的一种新型非交联封装材料。通过差示扫描量热仪(DSC)分析测定了TPO与最常用乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)共聚物封装材料的结晶度和热稳定性,确定了两者的熔融峰温度及结晶度水平。采用X射线衍射法对两种封装材料的结晶特性进行了研究。DSC结果表明TPO封装材料不涉及交联反应。通过热重分析(TGA)测定了其热稳定性和热分解起始温度。本研究有助于理解新型TPO封装材料的热行为及结晶特性,该材料有望替代EVA成为光伏组件的封装材料。
关键词: 封装材料、聚烯烃、结晶度、热稳定性、乙烯-醋酸乙烯酯、光伏技术
更新于2025-09-23 15:21:01
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通过调节供体烷基末端链的支化点位置,实现了形貌优化并制备出高效全小分子有机太阳能电池
摘要: 与聚合物对应物相比,末端基团修饰是小分子给体最具影响力的因素之一,这为优化全小分子有机太阳能电池(ASM-OSCs)的形貌提供了契机。本研究中,我们报道了三种新型小分子给体——其烷基末端链分别在1-、2-和3-位带有分支点,分别命名为BSCl-C1、BSCl-C2和BSCl-C3。以IDIC-4Cl为受体时,微妙的分支位置变化导致光伏参数出现显著差异:BSCl-C1、BSCl-C2和BSCl-C3的短路电流(Jsc)分别为4.90 mA cm?2、20.1 mA cm?2和14.2 mA cm?2,填充因子分别为33.9%、71.3%和67.0%。BSCl-C2:IDIC-4Cl体系实现了12.4%的最佳器件效率,该数值不仅位居迄今报道前列,且在使用IDIC类受体的体系中展现出较低能量损失?;贐SCl-C2的优异器件性能归因于其强分子结晶度及与IDIC-4Cl适宜的分子间相互作用所形成的优化相形貌。这些结果表明,适当调控末端基团分支位置可促进ASM-OSCs的高性能化。
关键词: 分支点、相形态、结晶度、分子间相互作用、全小分子
更新于2025-09-23 15:21:01
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前驱体浓度和生长时间对雾化化学气相沉积法制备的α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜表面形貌与结晶度的影响
摘要: 采用雾化化学气相沉积法(mist CVD)在c面蓝宝石衬底上制备了超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)单晶薄膜。所生长的β-Ga2O3薄膜具有低表面粗糙度特征,我们通过原子力显微镜和X射线衍射对其初始晶体生长相进行了表征。通过改变前驱体浓度,实现了薄膜表面粗糙度与结晶度的调控。β-Ga2O3薄膜的晶格常数在初始生长阶段与单晶基本匹配,证实该薄膜呈异质外延生长模式。最后发现该体系中的雾化CVD工艺可能具有极短的孕育期。
关键词: 氧化镓,表面形貌,结晶度,前驱体浓度,喷雾化学气相沉积,外延生长,宽禁带半导体
更新于2025-09-23 15:21:01