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oe1(光电查) - 科学论文

15 条数据
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  • 等离子体增强反应热蒸发法制备的氧化铟薄膜的电学特性

    摘要： 研究了在不同基底温度下通过等离子体增强反应热蒸发法制备的透明氧化铟薄膜的结构与电学性能。发现这些薄膜具有晶粒结构?；孜露壬呋嵯灾岣弑∧さ牡绲悸什⑺醵坦獾绲汲谠ナ奔?。本文提出了对基底温度影响所研究氧化铟薄膜电学及光电性能变化机理的解释。

    关键词： 氧化铟薄膜、电学性能、衬底温度、光电导性、等离子体增强反应热蒸发

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 衬底台温度和旋转速率对射频溅射Bi2.1Dy0.9Fe3.9Ga1.1O12石榴石薄膜磁光性能的影响

    摘要： 采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了高度铋取代的铁石榴石薄膜。我们研究了影响Bi2.1Dy0.9Fe3.9Ga1.1O12组分铁氧体石榴石薄膜磁光(MO)性能的因素(与射频磁控溅射沉积技术相关的工艺参数)。所有薄膜经退火处理后均显示出在整个可见波长范围内的高磁光响应。特别研究了衬底台温度和旋转速率对薄膜各项性能的影响。实验结果表明，这类石榴石薄膜的特性可被调控和优化，用于各种磁场驱动的纳米光子学和集成光学器件；与其它旋转速率下沉积的薄膜相比，在衬底台旋转速率接近每分钟16转时，所开发的磁光薄膜具有最佳的磁光品质。据我们所知，这是首次报道沉积参数对这种化学计量比石榴石薄膜性能影响的研究。

    关键词： 磁光子学、法拉第旋转、磁光石榴石、衬底温度、工艺参数、射频磁控溅射

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 喷涂氧化钴薄膜的衬底温度依赖性特性

    摘要： 采用自制气动喷雾热解系统(SPT)，以氯化钴(CoCl2)水溶液为钴源，在非晶玻璃基底上沉积了氧化钴(Co3O4)薄膜。沉积温度范围为250至450°C，间隔50°C。研究了基底温度对薄膜结构、电学及光学性能的影响。通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见光谱(UV-Vis)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜及四探针法对样品进行表征。XRD研究表明所有薄膜均为立方相Co3O4尖晶石结构多晶薄膜，随着基底温度升高，晶粒择优取向从(311)面转变为(111)面，计算平均晶粒尺寸约为40.38 nm。形貌分析显示薄膜表面均匀致密。EDS分析检测到Co和O元素特征峰，证实了薄膜成分。光学透过率和带隙能量随基底温度升高而增大。室温电导率量级为10?1 (Ω·cm)?1。

    关键词： 薄膜，衬底温度，氧化钴，喷雾热解法，结构特性，光学特性，电学特性

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 玻璃基底上沉积的碲化镉薄膜性能随基底温度的变化

    摘要： 本研究探讨了采用电子束和热真空蒸发法在不同衬底温度下沉积的碲化镉（CdTe）薄膜性能变化，重点研究了衬底温度对CdTe薄膜结构、形貌、光学及电学特性的影响。通过掠入射X射线衍射技术进行结构表征发现，200°C沉积的薄膜比室温沉积样品具有更显著的结晶特性。研究计算了两种制备条件下CdTe薄膜的平均晶粒尺寸（D）、晶格应变（ε）、单位面积晶粒数（N）及织构系数TC(hkl)等参数。扫描电子显微镜观测显示薄膜表面形貌呈均匀特征。紫外-可见分光光度计与光致发光测试表明，在200°C衬底温度下，电子束和热蒸发制备的薄膜样品带隙值均有所降低。采用双探针法进行的电学测量显示，电子束蒸发法在200°C衬底温度下制备的CdTe薄膜具有最大电流值。

    关键词： 热真空蒸发、光学性能、薄膜、电子束蒸发、电学性能、结构性能、衬底温度、碲化镉

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 温度对ZnO薄膜光学和电学性能的影响

    摘要： 采用射频磁控溅射法在玻璃基底上沉积氧化锌薄膜，研究了基底温度对薄膜微观结构、光学及电学性能的影响。通过X射线衍射和原子力显微镜分析了薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD图谱与AFM图像显示，随着基底温度升高，薄膜结晶度和晶粒尺寸均增大。采用霍尔效应测量评估了薄膜的电学性能，实验结果表明薄膜电阻率随基底温度升高而降低。该氧化锌薄膜在400-800 nm可见光波段具有84%的高透过率，且该特性与基底温度无关。本研究表明：通过提高基底温度可实现氧化锌薄膜高透明与低电阻性能的协同优化。

    关键词： 电阻率、氧化锌薄膜、透射率、衬底温度

    更新于2025-09-04 15:30:14