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M455L3 发光二极管

M455L3

分类： 发光二极管

厂家： 索雷博

产地： 美国

型号： M455L3

更新时间： 2023-07-07T07:39:47.000Z

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简介：

Royal Blue (455 nm) Mounted LED, 1000 mA, 900 mW

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概述

Thorlabs Inc的M455L3是一款LED，电流为1000 mA，正向电压为3.2 V，波长为455 nm，功率为900至1020 MW.有关M455L3的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 颜色 / Colors : Royal Blue

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  • 通过硅烷和点击化学对纳米结构介孔金属氧化物光阳极进行稳定的分子表面修饰
    DSPECs（染料敏化光电化学电池） 光稳定性 稳定性 硅烷化学 电稳定性 钌(II)多吡啶配合物 点击化学 染料敏化 光阳极

    将功能性分子结合到纳米结构介孔金属氧化物表面，为衍生化金属氧化物半导体以应用于染料敏化光电合成电池（DSPECs）提供了一种方法。常用的锚定基团——膦酸酯和羧酸酯在中性和高pH条件下作为氧化物表面的连接点稳定性较差，会导致所连接分子快速脱附。本文描述了一种合成应用广泛的分子附着策略：先通过硅烷基叠氮化物进行表面修饰，再利用点击化学实现稳定连接。该策略已成功用于表面金属配合物的稳固安装，所得表面具有优异的热稳定性、光化学稳定性和电化学稳定性，能有效防止配合物流失。具体操作流程为：先将3-叠氮丙基三甲氧基硅烷（APTMS）通过硅烷键合连接到纳米结构介孔TiO?或锡掺杂氧化铟（ITO）电极上，随后通过叠氮端基的铜(I)催化叠氮-炔环加成反应（CuAAC），与炔基衍生的钌(II)多吡啶配合物结合。与膦酸酯表面键合相比，这种生色团修饰电极展现出更强的光化学和电化学稳定性，在超过约6小时的对苯二酚光致电化学氧化过程中无明显衰减。

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  • 基于多层PdSe?/金字塔状硅异质结的光限制效应诱导高灵敏度自驱动近红外光电探测器及图像传感器
    光电器件 近红外光 光操控 黑硅 二维材料

    本研究展示了一种基于PdSe?/金字塔硅异质结阵列的高灵敏度自驱动近红外（NIR）光探测器，该阵列通过简单硒化预沉积在黑硅上的Pd纳米薄膜制备而成。所构建的混合器件在零偏压980 nm光照下展现出优异的光响应性能：开关比高达1.6×10?、响应度为456 mA W?1、比探测率最高达9.97×1013琼斯。这种较高灵敏度可归因于金字塔微结构的光捕获效应，有限时域差分数值模拟证实了该机制。此外，得益于PdSe?的宽光学吸收特性，该器件对1300、1550和1650 nm等超出硅基器件光响应范围的近红外光也表现出显著敏感性。研究还发现该PdSe?/金字塔硅异质结器件可作为近红外光传感器，能清晰记录分别由980 nm和1300 nm光照产生的"树"与"房屋"图像。

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实验方案推荐
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  • 材料科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择：采用两步法，先在介孔TiO?或ITO电极表面用3-叠氮丙基三甲氧基硅烷（APTMS）进行硅烷功能化，再通过铜(I)催化的叠氮-炔环加成反应（CuAAC）与炔基衍生的钌(II)多吡啶配合物结合。 2. 样品选择与数据来源：FTO玻璃上的介孔纳米TiO?（粒径约20-30 nm，膜厚约4 μm）和纳米ITO（粒径约10-15 nm，膜厚约4 μm）薄膜。 3. 实验设备与材料清单：APTMS、CuSO?·5H?O、抗坏血酸钠、溶剂（甲苯、甲醇、水）、电极（铂丝、Ag/AgCl）、光谱仪（紫外-可见、傅里叶变换红外、拉曼）、X射线光电子能谱仪、恒电位仪。 4. 实验步骤与操作流程：电极在甲苯中用APTMS功能化3.5天，随后在含铜催化剂的甲醇/水体系中与钌配合物反应60小时，经洗涤后表征。稳定性测试在多种pH缓冲液中于黑暗、光照及电化学条件下进行。 5. 数据分析方法：紫外-可见光谱测定发色团负载量与稳定性，XPS和FT-IR验证表面特性，循环伏安法进行电化学表征，动力学拟合分析解吸速率。

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  • 光电信息科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择：通过直接在金字塔形硅表面硒化Pd纳米薄膜制备该器件，采用时域有限差分（FDTD）建模模拟电场分布。 2. 样品选择与数据来源：金字塔形硅通过n型轻掺杂硅片的碱蚀刻法制备，在其表面生长PdSe?薄膜。 3. 实验设备与材料清单：场发射扫描电镜（SU8020）、原子力显微镜（本原纳米科技CSPM-4000）、X射线衍射仪（理学D/max-rB）、高分辨透射电镜（JEOL JEM-2100F）、拉曼光谱仪（HORIBA Jobin Yvon LabRAM HR800）、能谱仪（SU8020）、X射线光电子能谱仪（ESCALAB250Xi）、紫外-可见分光光度计（日本岛津UV-2550）、半导体特性分析系统（Keithley 2400）、不同波长激光二极管（980 nm Tanon公司UV-100、1300 nm Thorlabs M1300L3、1550 nm Thorlabs M1550L3、1650 nm Thorlabs M1650L3）。 4. 实验流程与操作步骤：通过简易碱蚀刻法合成金字塔形硅，在其表面生长PdSe?薄膜，采用多种技术对器件进行表征。 5. 数据分析方法：根据给定公式计算响应度、外量子效率（EQE）和比探测率。

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厂家介绍

Thorlabs致力于以快速有效的服务，为客户供应高品质的光电产品及附属产品。索雷博, 光学平台, 光学元件, 位移台, 光纤跳线, 激光器, 二极管驱动, 宽谱光源, 光电探测, 光束分析, OCT成像, 成像系统, 压电陶瓷, 光电实验室

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