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IK3301R-G 激光器?？楹拖低? class=

IK3301R-G

分类： 激光器?？楹拖低?/a>

厂家： Kimmon Koha Co. Ltd.

产地： 日本

型号： IK3301R-G

更新时间： 2024-08-26T08:14:14.000Z

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简介：

IK Series He- IK Series He-Cd Laser Cd Laser:325nm(UV), 442nm(Blue) and Dual Wavelength (Blue) and Dual Wavelength (Blue) and Dual Wavelength

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概述

Kimmon Koha的IK3301R-G是一款波长为325 nm、功率为0.03 W、输出功率（CW）为0.03 W、工作温度为10至40摄氏度、存储温度为10至50摄氏度的激光器。有关IK3301R-G的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 功率 / Power : 0.03 W
  • 应用 / Application : Photoluminescence, Raman Spectroscopy, Biomedicine/Bioengineering, Flow Cytometry, Lithography/Grating Production, Photopolymer Exposure, Interferometry, Printing/Plate making, Precision measurement, Holography, Defect inspection
  • 增益介质类型 / Gain Medium Type : Gas
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : HeCd Laser
  • 横模 / Transverse Mode : TEM00

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  • 发光的Nd?S?薄膜：一种制备稀土硫化物的新型化学气相沉积方法
    金属有机化学气相沉积 三硫化二钕 薄膜 稀土硫化物 发光材料

    硫化钕（Nd?S?）属于极具前景的稀土硫化物（RES）类别，在纯态或掺杂状态下均展现出广泛的应用潜力。我们首次通过金属有机化学气相沉积法（MOCVD），在温和工艺条件下使用两种新型钕前驱体——三(N,N'-二异丙基-2-二甲基氨基胍基)钕(III)和三(N,N'-二异丙基-乙脒基)钕(III)，实现了Nd?S?薄膜的简易制备。这两种前驱体对单质硫具有优异的热稳定性和适宜的反应活性，成功合成了高纯度γ-Nd?S?。薄膜生长温度范围为400°C至600°C，当温度超过500°C时形成晶态薄膜。研究还证实，原位沉积的γ-Nd?S?具有发光特性，其光学带隙介于2.3 eV至2.5 eV之间。该工艺无需硫化等后处理步骤即可制备目标Nd?S?材料，为大规模合成奠定了基础，并为探索这类功能材料的潜在应用开辟了新途径。

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  • 化学实验方案

    1. 实验设计与方法选择：本研究采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，使用两种新型钕前驱体沉积Nd2S3薄膜。 2. 样品选择与数据来源：薄膜沉积于预清洁的Si(100)和熔融石英衬底上。 3. 实验设备与材料清单：MOCVD反应器、钕前驱体、单质硫、氮气载气。 4. 实验步骤与操作流程：薄膜生长温度范围为400°C至600°C，前驱体蒸发器温度设为120°C，硫源温度为110°C。 5. 数据分析方法：采用XRD、SEM、AFM、RBS/NRA、XPS、紫外-可见吸收光谱及光致发光光谱进行表征。

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厂家介绍

Kimmon Koha提供较高质量的前沿HECD激光器。为了实现这一目标，他们在内部建造、生产、组装和加工几乎所有的东西。虽然比转包更昂贵，但它允许他们控制整个制造过程并确保较高质量。 Kimmon Koha生产系统的独特能力之一是他们能够从自己的石英矿中加工石英原料，并在内部生产HECD激光管。这些能力为他们的客户转化为更高质量的产品。

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