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IK5752I-G 激光器?？楹拖低? class=

IK5752I-G

分类： 激光器?？楹拖低?/a>

厂家： Kimmon Koha Co. Ltd.

产地： 日本

型号： IK5752I-G

更新时间： 2024-08-25T22:35:45.000Z

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简介：

Compact, high-energy picosecond laser

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概述

Kimmon Koha的IK5752i-G是一款波长为325至442 nm、功率为0.04至0.15 W、输出功率（CW）为0.04至0.15 W、工作温度为10至40摄氏度、存储温度为10至50摄氏度的激光器。IK5752i-G的更多详细信息请联系我们。

参数

  • 功率 / Power : 0.04 to 0.15 W
  • 应用 / Application : Photoluminescence, Raman Spectroscopy, Biomedicine/Bioengineering, Flow Cytometry, Lithography/Grating Production, Photopolymer Exposure, Interferometry, Printing/Plate making, Precision measurement, Holography, Defect inspection

图片集

IK5752I-G图1
IK5752I-G图2
IK5752I-G图3
IK5752I-G图4
IK5752I-G图5
IK5752I-G图6
IK5752I-G图7
IK5752I-G图8
IK5752I-G图9

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  • 具有ZnO/Ag肖特基结的全面热释光电子效应增强型紫外探测器
    紫外光电探测器 肖特基结 二次热释电效应 光热电效应 自供电

    作为热释电效应与光电效应的耦合效应，热释光电效应已展现出对快速响应p-n结光电探测器（PDs）的卓越调控作用。本研究利用全面的热释光电效应，基于ZnO/Ag肖特基结设计并制备了自供电柔性紫外光电探测器。通过初级热释电效应，该自供电探测器在325 nm光照下的最大瞬态光响应度可达1.25 mA W?1，较稳态信号提升1465%。相对持续的次级热释电效应会削弱肖特基势垒高度，导致稳态光电流随功率密度增加而降低。当功率密度足够大时，稳态光电流会发生反向。基于能带图揭示了综合热释光电效应对瞬态和稳态光电流的相应调控机制。这些结果有助于进一步阐明热释光电效应对光电流的作用机理，同时也为优化自供电光电探测器的性能提供了潜在途径。

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  • 通过界面态调控与热释光电子效应提升p-Si/n-ZnO自供电光电探测器性能
    自供电 紫外辐照 界面态 热释光电子效应 宽带光电探测器

    基于氧化锌的自供电光电探测器（PD）在分布式传感器网络和物联网中具有巨大的应用潜力。然而，氧化锌内部大量的表面或界面态限制了其性能提升。本研究通过紫外辐照作为界面修饰工程，显著消除了氧化锌的表面和界面态。界面态的减少降低了欧姆电阻，同时增强了热释光电子效应的调控作用。由此，该自供电光电探测器的瞬态响应电流得到显著提升，在325-785纳米宽带激励光下实现了超过5900%的最大增强因子，相应响应时间缩短至几毫秒或亚毫秒量级。结果表明，氧化锌表面态的减少能有效增强热释光电子效应的调控作用，并大幅提升自供电宽带光电探测器的响应性能，该器件在物联网、宽光谱检测与成像以及智能光电器件等领域具有重要应用需求。

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实验方案推荐
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  • 光电信息科学与工程实验方案1

    {"实验设计与方法选择": "本研究利用热释光电子效应提升ZnO/Ag肖特基结光电探测器性能。研究方法包括柔性器件制备及其对紫外光照动态响应的表征。", "样品选择与数据来源": "通过低温水热法在带有氧化铟锡（ITO）和ZnO籽晶层的柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基底上合成ZnO纳米线（NWs），并测量器件对325 nm紫外激光的响应。", "实验设备与材料清单": "设备包括射频磁控溅射系统（Denton Discovery 635）、扫描电镜（日立SU4800）、X射线衍射仪（岛津XRD-6100）、紫外-可见分光光度计（岛津UV3600）以及定制计算机控制测量系统（含斯坦福SRS低噪声电流前置放大器SR570和低噪声电压前置放大器SR560）。材料包含PET基底、ITO、ZnO、Ag和氢氧化铵。", "实验流程与操作步骤": "制备过程包括PET基底清洗、ITO与ZnO籽晶层沉积、水热法生长ZnO纳米线、Ag顶电极沉积及测试线路连接，随后对器件的光学与电学特性进行表征。", "数据分析方法": "通过计算有无光照条件下的短路电流获取光电响应度和比探测率，并分析动态响应特性以理解热释光电子效应的作用机制。"}

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  • 光电信息科学与工程实验方案2

    1. 实验设计与方法选择：本研究涉及p-Si/n-ZnO异质结构自供电光电探测器的制备，并通过紫外辐照进行改性以减少表面和界面态。利用热释电光电子效应提升器件性能。 2. 样品选择与数据来源：采用p型硅片作为衬底，通过水热法生长ZnO纳米线形成异质结。 3. 实验设备与材料清单：设备包括用于沉积ZnO种子层的射频磁控溅射仪、水热生长用的机械对流烘箱，以及用于紫外辐照和测试的各类激光器。材料包含用于生长ZnO纳米线的Zn(NO3)2和六亚甲基四胺。 4. 实验流程与操作步骤：流程包括清洗硅片、沉积ZnO种子层、生长ZnO纳米线，以及溅射ITO和Ag薄膜作为电极。随后对器件进行紫外辐照以改性其表面态。 5. 数据分析方法：通过I-V和C-V测量、光致发光光谱及吸收光谱分析光电探测器性能，评估紫外辐照对器件光电特性的影响。

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厂家介绍

Kimmon Koha提供较高质量的前沿HECD激光器。为了实现这一目标，他们在内部建造、生产、组装和加工几乎所有的东西。虽然比转包更昂贵，但它允许他们控制整个制造过程并确保较高质量。 Kimmon Koha生产系统的独特能力之一是他们能够从自己的石英矿中加工石英原料，并在内部生产HECD激光管。这些能力为他们的客户转化为更高质量的产品。

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    T257P-20热电循环冷却器是一款高性能固态冷却器，提供210瓦冷却能力和可变驱动离心泵，适用于科学行业的精密冷却需求。

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