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电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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S-200CL
厂家：OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家：Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
光电查为您提供2040个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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51毫米光电倍增管7216B系列
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 320nm 上升时间: 5ns7216B是一款紧凑的51mm（2）直径、端窗光电倍增管（PMT），具有蓝绿敏感的高QE双碱光电阴极和10个高增益、高稳定性、SBCS倍增极的线性聚焦设计，具有良好的线性度和时序。它是9216的高QE版本。
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PCI series HgCdTe探测器
最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008 时间常数τ, ns: ≤5000, ≤500, ≤10, ≤3PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率（约0.9 μm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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ODD-3W-2
来自Opto Diode Corporation的ODD-3W-2是波长范围为250至1100 nm、暗电流为0.9至2.5 nA、电容为7.5至30 PF、响应度/光敏度为0.32至0.60 A/W的光学检测器。
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4EF-5 多波段四通道红外检测模块
中心波长: 3.34μm (CH1), 4.26μm (CH2), 4.47μm (CH3), 4.71μm (CH4) 滤波器带宽: 130±20nm (CH1), 180±20nm (CH2), 80±20nm (CH3), 100±20nm (CH4) 探测率D*: ≥2.4×10^9cm·Hz1/2/W (CH1), ≥2.4×10^9cm·Hz1/2/W (CH2), ≥2.3×10^9cm·Hz1/2/W (CH3), ≥2.0×10^9cm·Hz1/2/W (CH4) 输出噪声密度: ≤700nV/Hz1/2 电压响应度: ≥1.4×10^4V/W (CH1, CH2, CH3), ≥1.1×10^4V/W (CH4)4EF-5是一款多波段四通道红外检测?？?。它采用热电制冷光伏多结四元素2×2阵列探测器，基于InAsSb异质结构，集成有四通道跨导预放大器和热电制冷器控制器。该模块使用四个带通滤波器，中心波长分别为：3.34 μm (CH1)、4.26 μm (CH2)、4.47 μm (CH3) 和 4.71 μm (CH4)。4EF-5适用于检测常见气体。
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BPX65-100 光纤接收器
窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值 差分跨阻: 14K?BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管，与一个NE5212（Signetics）转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。
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ODD-15W
来自Opto Diode Corporation的ODD-15W是一种光学检测器，其波长范围为632 nm，上升时间为10 nsec，暗电流为4至10 nA，电容为30 PF，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W.ODD-15W的更多详细信息见下文。
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光电探测器模块PDM04-9113-CN
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 550nm 上升时间: 1.8ns我们的新系列光电探测器?？榧闪酥本段?5毫米和30毫米的光电倍增管以及低噪声、低功耗的高压电源，可提供圆柱形和矩形两种形式。该模块采用5V至15V范围内的低压电源供电，并通过选择第5节所示的三个高压控制选项之一来设置HVIS。
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PVMQ 光伏多结象限探测器
有源元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 10.6μm 探测率D*(λpeak): ≥2.0×10^7cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^7cm·Hz1/2/W 电流响应度Ri(λopt): ≥0.002A/WPVMQ是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器，以实现最佳性能和稳定性。四分之一探测器由四个独立的活动元件组成，排列成四分之一几何结构。该设备在10.6 μm波长处进行了最大性能优化。
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LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收?？?/a>
系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 VExcelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收?？榧闪薃PD、热电制冷器（TEC）以及放大电路，所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些?？樽ㄎ咚俚凸饽Ｄ庑藕诺募觳舛杓啤?/p>
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双面、超线性位置传感器PSD
位置响应度: 3-150 A/W 检测误差: 0.04-14 nA 电容: 15-1500 pF 位置漂移: 0.04-1.4 μm / °C 电极间电阻: 15-1500 kΩ双面、超线性位置传感器（Duo-Lateral, Super Linear PSD）采用最先进的双侧技术，提供一个连续的模拟输出，该输出与光斑质心从活动区域中心的偏移量成比例，具有超高精度和宽动态范围，适用于光束对准、表面轮廓测量等应用。
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OSD-E Series 光电二极管
温度: 22±2?C 噪声等效功率: 1.5 x 10-14 WHz-1/2 有效区域: 1.0 x 1.0 mm 响应度: 1 nA Lux-1 电容: 35 pFOSD-E系列光电二极管是蓝光增强探测器，配有高质量的色彩校正滤光片。其光谱响应接近人眼的响应。适用于光度测量、医疗仪器和分析化学。
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大有源区高速探测器
响应度: 900nm, 0.54 A/W 电容: 48 pF 上升时间: 5.0 ns 噪声等效功率: 1.2 e-14 W/√Hz 有效区域: 7.1 mm2Large Active Area Photodiodes大活动面积高速探测器和辐射探测器旨在实现尽可能低的结电容，以获得快速响应时间，并可完全耗尽用于高能辐射测量。具有大有效面积、高击穿电压和快速响应时间，适用于高能粒子检测。
