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光电二极管

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  • 美国
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  • 电容

    Capacitance(pF)

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity(A/W)

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  • 9078B - 19毫米光电倍增管 光电二极管

    9078B - 19毫米光电倍增管

    美国
    分类:光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 350nm 上升时间: 1.8ns

    光电倍增管(PMT)采用Adit电子管。

  • 侧窗比亚卡利光电倍增管 光电二极管

    侧窗比亚卡利光电倍增管

    美国
    分类:光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 300nm 上升时间: 2ns

    光电倍增管(PMT)采用Adit电子管。

  • APD130A 光电二极管

    APD130A

    美国
    分类:光电二极管
    厂家:索雷博

    Thorlabs Inc的APD130A是一款光电二极管,波长范围为400至1000 nm,带宽为DC至50 MHz,响应度/光敏度为25 A/W.有关APD130A的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电倍增管HV底座HV2520AN/AP 光电二极管

    光电倍增管HV底座HV2520AN/AP

    美国
    分类:光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 450nm 上升时间: 200ns

    新的紧凑型高压电源底座系列可与直径为25mm、30mm、51mm、78mm和130mm的硬针和带帽光电倍增管配合使用。这些器件采用低电压电源(+5 V至+15 V)供电,较大输出高电压为2000 V。工作电压可使用第6节所示的三个编程选项之一进行设置。光电倍增管安装在带有螺纹安装衬套的屏蔽圆柱形金属外壳内。HV底座可带或不带安装法兰。

  • FCI-InGaAs-36C 光电二极管

    FCI-InGaAs-36C

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.16 to 0.20 pF 响应度/光敏度: 0.75 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.生产的FCI-InGaAs-36C是一款光电二极管,波长范围为1310至1550 nm,带宽为9 GHz,电容为0.16至0.20 PF,暗电流为0.5至2 nA,响应度/光敏度为0.75至0.85 A/W.FCI-InGaAs-36C的更多详情见下文。

  • 光电探测器??镻DM04-9111-CN 光电二极管

    光电探测器??镻DM04-9111-CN

    美国
    分类:光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 450nm 上升时间: 1.8ns

    我们的新系列光电探测器模块集成了直径为25毫米和30毫米的光电倍增管以及低噪声、低功耗的高压电源,可提供圆柱形和矩形两种形式。该??椴捎?V至15V范围内的低压电源供电,并通过选择第5节所示的三个高压控制选项之一来设置HVIS。

  • 光电探测器??镻DM9112-CN 光电二极管

    光电探测器??镻DM9112-CN

    美国
    分类:光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 550nm 上升时间: 1.8ns

    我们的新系列光电探测器模块(PMT)集成了直径为25毫米和30毫米的光电探测器以及低噪声、低功耗的高压电源,可提供圆柱形和矩形两种形式。该??椴捎?V至15V范围内的低压电源供电,并通过选择第5节所示的三个高压控制选项之一来设置HVIS。

  • LSC-5D 光电二极管

    LSC-5D

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 响应度/光敏度: 0.35 to 0.42 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的LSC-5D是一款光电二极管,波长范围670 nm,电容50 PF,暗电流0.01至10 nA,响应度/光敏度0.35至0.42 A/W,上升时间0.25μs.有关LSC-5D的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD5010X01 光电二极管

    VEMD5010X01

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD5010X01是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为25至70 PF,暗电流为2至30 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD5010X01的更多详细信息,请联系我们。

  • C30737LH-300-7XN Series 低电容硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30737LH-300-7XN Series 低电容硅雪崩光电二极管

    美国
    分类:光电二极管
    活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-165Volts 增益: M=1@Vr=10V 温度系数: 0.6V/°C 响应度: S=35A/W@635nm

    Excelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管,封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中,适用于高体积激光测距和测距应用。

  • 光电探测器??镻DM04-9111-USB 光电二极管

    光电探测器??镻DM04-9111-USB

    美国
    分类:光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 550nm 上升时间: 25ns

    我们的新系列USB光电探测器??椋≒MT)可提供圆柱形或矩形格式,可选择直径为25毫米和30毫米的光电探测器。有三种软件可配置的计数模式可供选择:预设通道数、预设总测量周期或连续。这些??榫哂辛庸庀瞬ǖ迹ㄎ刺峁┑墓δ?。USB??榫哂型ü峁┑娜砑≡窆ぷ鞯缪沟难∠?。用户还可以通过软件设置所需的阈值级别。USB单元可以通过USB连接器供电。

  • PIN-DSIn-TEC 光电二极管

    PIN-DSIn-TEC

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的PIN-DSIN-TEC是一款光电二极管,波长范围为1000至1800 nm(InGaAs),电容为450 PF(Si-TOP)、300 PF(InGaAs),响应度/光敏度为0.55 A/W(Si-TOP)、0.6 A/W(InGaAs),上升时间为4μs.有关PIN-DSIN-TEC的更多详细信息,请联系我们。

  • FDPS3X3 光电二极管

    FDPS3X3

    美国
    分类:光电二极管
    厂家:索雷博

    Thorlabs Inc的FDPS3X3是一款光学探测器,波长范围为1000至2900 nm,上升时间为200μs.有关FDPS3X3的更多详细信息,请联系我们。

  • SXUV5 光电二极管

    SXUV5

    美国
    分类:光电二极管
    厂家:Opto Diode

    Opto Diode Corporation的SXUV5是一款光学探测器,波长范围为1至400 nm,上升时间为2μsec,电容为1 NF,有效面积直径为2.5 mm.SXUV5的更多细节可以在下面看到。

  • 57-509 光电二极管

    57-509

    美国
    分类:光电二极管

    Edmund Optics的57-509是一款光学探测器,上升时间为0.2μs,电容为60 PF,响应度/光敏度:0.14 A/W.有关57-509的更多详细信息,请联系我们。

  • FDGA05 光电二极管

    FDGA05

    美国
    分类:光电二极管
    厂家:索雷博

    Thorlabs公司的FDGA05是一款光学探测器,波长范围为800至1700 nm,上升时间为2.5 ns,暗电流为6 nA,电容为10 PF.有关FDGA05的更多详细信息,请联系我们。

  • FD10D 光电二极管

    FD10D

    美国
    分类:光电二极管
    厂家:索雷博

    Thorlabs Inc的FD10D是一款光学探测器,波长范围为800至2600 nm,上升时间为25 ns,暗电流为3μA,电容为500 PF.有关FD10D的更多详细信息,请联系我们。

  • AXUV100Al 光电二极管

    AXUV100Al

    美国
    分类:光电二极管
    厂家:Opto Diode

    Opto Diode Corporation的AXUV100AL是一种光学检测器,波长范围为0.01至190 nm,上升时间为250 nsec,电容为10至44 NF.有关AXUV100AL的更多详细信息,请联系我们。

  • AXUV20A 光电二极管

    AXUV20A

    美国
    分类:光电二极管
    厂家:Opto Diode
    ??? No 光电探测器类型: PN RoHS: Yes 电容: 4000 to 10000 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 0.45 A/W

    Opto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管,有效面积为5.5 mm直径,对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm,电容低于10 N,反向击穿电压为10 V,上升时间为2μs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该器件配有?;じ前?,以?;す獾缍苄酒秃赶摺?/p>

  • EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16 光电二极管

    EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16

    美国
    分类:光电二极管
    ??? Yes 光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: SiC 响应度/光敏度: 4 to 5 A/W

    来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度,并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用,包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管(PMT)的固态替代品。