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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
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S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供958个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
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FDS1010-CAL
Thorlabs公司的FDS1010-CAL是一款光学探测器,波长范围为350至1100 nm,上升时间为65 ns,暗电流为600 nA,电容为375 PF.有关FDS1010-CAL的更多详细信息,请联系我们。
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UVG20C
Opto Diode Corporation的UVG20C是一款光学探测器,波长范围为1至400 nm,上升时间为0.8至3.3μsec,暗电流为30 nA,电容为4至10 NF,有效面积直径为4.9 mm.有关UVG20C的更多详细信息,请联系我们。
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs,提供高量子效率和低噪声的高响应度。
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T337P6
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 to 3.3 pFVishay Intertechnology的T337P6是一款光电二极管,波长范围为970 nm,电容为1.5至3.3 PF,暗电流为1至3 nA,上升时间为550至820 ns.有关T337P6的更多详细信息,请联系我们。
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UV-20
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode,Inc.的UV-20是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1000 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为2μs.有关UV-20的更多详细信息,请联系我们。
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APD10-8-150-T52
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pF 响应度/光敏度: 50 A/WOSI Laser Diode,Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为600 MHz,电容为6 PF,暗电流为0.2至2 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。
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FCI-InGaAs-120-XX-XX
光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120-XX-XX是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120-XX-XX的更多详细信息,请联系我们。
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APA1201010000
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.65 A/W来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。
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TEFD4300
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 to 3.3 pFVishay Intertechnology的TEFD4300是一款光电二极管,波长范围为950 nm,电容为1.2至3.3 PF,暗电流为0.15至3 nA,上升时间为100 ns.有关TEFD4300的更多详细信息,请联系我们。
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IAV200
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 响应度/光敏度: 0.85 to 1.05 A/WGPD Optoelectronics的IAV200是一款光电二极管,波长范围为1至1.63μm,带宽为0.5至2 GHz,电容为1.8至2.2 PF,暗电流为8至25 nA,响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV200的更多详细信息,请联系我们。
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BXT2S-28T
Opto Diode Corporation的BXT2S-28T是一款两级冷却PbSe单通道红外探测器,峰值灵敏度波长为4.3至4.5μm.它的响应度/光敏度为7.5 X 104 V/W,有源元件面积为4 mm2。该红外探测器的比探测率为3.5×1010cm Hz1/2 W-1,分流电阻为1-15MΩ。它专为制冷和非制冷设备而设计,具有最快的中红外应用响应速度。该探测器为极低电平信号检测提供额外的灵敏度,并为温度处于恒定通量的环境提供增强的稳定性。它采用TO8封装,尺寸为2 X 2 mm,带有平面蓝宝石窗口,是医疗和工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像、国防和安全应用的理想选择。
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FIL-UV005
光电二极管材料: Silicon 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.14 A/WOSI Laser Diode,Inc.的FIL-UV005是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为300 PF,响应度/光敏度为0.14 A/W,上升时间为0.9μs.有关FIL-UV005的更多详细信息,请联系我们。
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T1670P
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 28 pFVishay Intertechnology的T1670P是一款光电二极管,波长范围为560 nm,电容为28 PF,暗电流为0.1至2 nA,上升时间为100 ns.有关T1670P的更多详细信息,请联系我们。
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FCI-InGaAs-75CCER
光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75CCER是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间0.2ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75CCER的更多详细信息,请联系我们。