研究目的
验证最先进的双稳态RRAM,并引入作为神经形态电路中人工突触的小面积构建???。
研究成果
研究结果支持采用双稳态阻变存储器(RRAM)构建神经形态电路中的高性能人工突触,该突触能够学习、更新并识别现实世界中的视觉与听觉模式。该研究表明,基于RRAM的突触网络通过脉冲时序依赖可塑性(STDP)实现无监督模式学习的潜力。
研究不足
RRAM器件中的突变置位/复位过程会导致双稳态STDP,这与生物STDP中被认为发生的渐进式权重调节形成对比。该研究探索随机切换以模拟双稳态突触中的渐进式切换。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用以HfO2阻变存储器为电阻元件的单晶体管/单电阻(1T1R)结构,在确定性和随机性两种状态下表征了脉冲时序依赖可塑性(STDP)。
2:样本选择与数据来源:
RRAM器件由掺硅HfO2层、TiN底电极和Ti顶电极构成。
3:2层、TiN底电极和Ti顶电极构成。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:使用任意波形发生器和示波器进行脉冲实验。
4:实验步骤与操作流程:
通过向RRAM器件施加特定电压脉冲并监测电阻变化来展示STDP行为。
5:数据分析方法:
采用Simulink电路模型对1T1R器件行为进行建模以模拟STDP特性。
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