研究目的
研究在具有GaAs/AlGaAs量子阱的平面波导中光诱导的强耦合与弱耦合态之间的转变。
研究成果
该研究展示了在激光强度增加时,平面AlGaAs波导中GaAs量子阱从强耦合区向弱耦合区的转变,这归因于量子阱充电导致的激子模式损耗增加。反射光谱测量证实了这一机制。
研究不足
实验方法无法测量具有较大拉比分裂的模式(如重空穴激子的偶数TE模式和轻空穴激子的偶数TE及TM模式)的拉比分裂猝灭现象。
研究目的
研究在具有GaAs/AlGaAs量子阱的平面波导中光诱导的强耦合与弱耦合态之间的转变。
研究成果
该研究展示了在激光强度增加时,平面AlGaAs波导中GaAs量子阱从强耦合区向弱耦合区的转变,这归因于量子阱充电导致的激子模式损耗增加。反射光谱测量证实了这一机制。
研究不足
实验方法无法测量具有较大拉比分裂的模式(如重空穴激子的偶数TE模式和轻空穴激子的偶数TE及TM模式)的拉比分裂猝灭现象。
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