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深P环沟槽终端：一种创新且经济高效的硅面积缩减方案
摘要： 本文提出了一种新型高压终端结构——"深p环沟槽"高压大功率器件终端设计方案，并进行了大量仿真验证。此类器件的终端区域通常占据芯片面积的很大比例；该设计方案不仅减少了所需的终端硅面积，还省去了传统p+环型终端所需的额外掩模工艺。此外，沟槽结构底部及其周围的p环能够降低氧化层拐角处的电场峰值，从而减少热载流子注入并提升器件可靠性。
关键词： 终止，高压，功率半导体器件
更新于2025-09-23 15:23:52
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[2019年IEEE国防光子学研究与应用会议(RAPID) - 美国佛罗里达州米拉马尔海滩(2019.8.19-2019.8.21)] 2019年IEEE国防光子学研究与应用会议(RAPID) - 红外LED场景投影仪定制支持电子设备的小批量生产与测试
摘要： 本信件报道了一种具有常关特性的氮化镓垂直沟槽金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）。通过选择性区域再生长n+型氮化镓源极层，避免了等离子体刻蚀对p型氮化镓体接触区的损伤。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的氮化铝/氮化硅介质叠层作为栅极"氧化层"。该独特工艺制备的0.5平方毫米有源区晶体管具有4.8V阈值电压、零栅压下600V耐压以及10V栅压下1.7欧姆导通电阻的特性。
关键词： 氮化镓，垂直晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管，功率半导体器件
更新于2025-09-23 15:21:01
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[2019年IEEE第16届第四组光子学国际会议(GFP) - 新加坡, 新加坡 (2019.8.28-2019.8.30)] 2019年IEEE第16届第四组光子学国际会议(GFP) - 石墨烯近红外吸收增强实现高响应度光电探测
摘要： 作为风力发电机组系统中的关键部件，功率电子变流器及其功率半导体器件承受着与环境相关的复杂电载荷，已被证实具有较高的故障率。因此，准确估算风电变流器的使用寿命对提升可靠性及降低风电技术成本至关重要。遗憾的是，现有功率电子变流器的寿命评估方法尚不适用于风电应用场景，因其未充分明确和包含综合运行工况特征。本文提出了一种相对先进的评估方法，该方法基于器件载荷与强度分析，并考虑了变流器中热行为的不同时间常数。通过建立的功率器件载荷与寿命评估方法，可获得风电变流器中与寿命相关性能的更详细信息。文中还包含部分实验结果，用于验证不同运行工况下功率器件的热行为特性。
关键词： 寿命预测、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、功率半导体器件、热循环、风力发电、任务剖面
更新于2025-09-23 15:19:57
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低Q值腔掺镱光纤激光器中准连续波与受激布里渊散射增强自调Q脉冲的共存现象
摘要： 作为风力发电机组系统中的关键部件，功率电子变流器及其功率半导体器件承受着与环境相关的复杂功率载荷，已被证实具有较高的故障率。因此，准确估算风电变流器的使用寿命对提高可靠性及降低风电技术成本至关重要。遗憾的是，现有功率电子变流器的寿命评估方法尚不适用于风电应用场景，因其未充分明确和包含综合运行工况。为此，本文提出了一种相对先进的评估方法——该方法基于器件载荷与强度分析，并考虑了变流器中热行为的不同时间常数。通过建立的功率器件载荷与寿命评估方法，可获得风电变流器中与寿命相关性能的更详细信息。文中还包含部分实验结果，用于验证不同运行工况下功率器件的热行为特性。
关键词： 寿命预测、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、功率半导体器件、热循环、风力发电、任务剖面
更新于2025-09-23 15:19:57
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[IEEE 2019 FISE-IEEE/CIGRE会议 - 能源转型实践（FISE/CIGRE） - 哥伦比亚麦德林（2019.12.4-2019.12.6）] 2019 FISE-IEEE/CIGRE会议 - 能源转型实践（FISE/CIGRE） - 通过公用事业级光伏与储能实现碳减排：杜克能源进步公司/卡罗莱纳州案例研究
摘要： 通过金属有机气相外延法，在单晶、镁掺杂的半绝缘(100)β-Ga2O3衬底上生长了锡掺杂的(100)β-Ga2O3外延层。制备并表征了具有2微米栅长(LG)、3.4微米源漏间距(LSD)和0.6微米栅漏间距(LGD)的氧化镓基金属氧化物半导体场效应晶体管。器件在关态下可承受230V的栅漏电压，其栅漏电场强度达到3.8MV/cm，这是所有晶体管中报道的最高值，超过了体相氮化镓和碳化硅的理论极限。基于布局、工艺和材料优化，对未来迭代产品的性能提升进行了预测。
关键词： 金属有机气相外延（MOVPE）、β-氧化镓（β-Ga2O3）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）、功率半导体器件
更新于2025-09-23 15:19:57
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[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 法国巴黎 (2019.9.1-2019.9.6)] 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 在高电子迁移率晶体管中实现等离子体太赫兹波产生的非对称边界条件
摘要： 作为风力发电机组系统中的关键部件，功率电子变流器及其功率半导体器件承受着与环境相关的复杂电负荷，已被证实具有较高的故障率。因此，准确估算风电变流器的使用寿命对提高可靠性及降低风电技术成本至关重要。遗憾的是，现有功率电子变流器的寿命评估方法尚不适用于风电应用场景，因其未充分明确和包含综合运行工况特征。本文提出了一种相对先进的评估方法，该方法基于器件载荷与强度分析，并考虑了变流器中热行为的不同时间常数。通过建立的功率器件载荷与寿命评估方法，可获得风电变流器中与寿命相关性能的更详细信息。文中还包含部分实验结果，用于验证不同运行工况下功率器件的热行为特性。
关键词： 功率半导体器件、寿命预测、热循环、风力发电、绝缘栅双极型晶体管、任务剖面
更新于2025-09-19 17:13:59
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[IEEE 2019年第16届电气工程/电子、计算机、电信与信息技术国际会议(ECTI-CON) - 泰国春武里府芭提雅 (2019.7.10-2019.7.13)] 2019年第16届电气工程/电子、计算机、电信与信息技术国际会议(ECTI-CON) - 基于双向光纤链路收发器的双脊波导喇叭天线增益自校准技术
摘要： 本信件报道了一种具有常关特性的氮化镓垂直沟槽金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。通过选择性区域再生长n+型氮化镓源极层，避免了等离子体刻蚀对p型氮化镓体接触区的损伤。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的氮化铝/氮化硅介质叠层作为栅极"氧化层"。该独特工艺制备出活性区面积为0.5平方毫米的晶体管，其阈值电压为4.8伏，在零栅压下阻断电压达600伏，栅压10伏时导通电阻为1.7欧姆。
关键词： 氮化镓、垂直晶体管、MOSFET、功率半导体器件
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2018年IEEE能源转换大会暨博览会（ECCE）- 美国俄勒冈州波特兰市（2018.9.23-2018.9.27）] 2018年IEEE能源转换大会暨博览会（ECCE）- 新型单片集成双向氮化镓高电子迁移率晶体管
摘要： 氮化镓功率半导体的横向芯片架构实现了具有双向阻断能力的单片集成氮化镓高电子迁移率晶体管设计。所提出的双向氮化镓高电子迁移率晶体管能显著降低多电平T型逆变器等应用中的导通损耗——这类应用正得益于具备双向电压阻断能力的功率半导体器件。在静态与动态特性测试中，该单片集成双向氮化镓高电子迁移率晶体管展现出与传统单向氮化镓高电子迁移率晶体管相似的开关特性和导通状态表现。
关键词： 双向、T型逆变器、功率半导体器件、多电平逆变器、开关特性、氮化镓、动态导通电阻、高电子迁移率晶体管、集成、半导体
更新于2025-09-04 15:30:14
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[2018年IEEE第19届电力电子控制与建模研讨会(COMPEL) - 意大利帕多瓦(2018.6.25-2018.6.28)] 2018年IEEE第19届电力电子控制与建模研讨会(COMPEL) - 衬底电位对功率GaN-on-Si HEMT器件动态与静态特性影响的表征与建模
摘要： 采用导电硅衬底生长的氮化镓功率晶体管如今已实现栅极驱动器与半桥电路的单片集成。其中，衬底电位引发的反向栅极效应给电路设计者带来挑战，阻碍了这项前景广阔技术的发展。本文通过测试商用氮化镓功率HEMT器件，系统表征了衬底电位对其IV特性的影响。基于实测数据提取了改进版ASM-HEMT紧凑型晶体管模型，该模型能描述衬底电位对IV特性及部分CV特性的影响。通过对适配晶体管模型进行瞬态仿真，研究了体电位对硅基氮化镓HEMT器件动态与静态特性的影响。
关键词： 衬底电位、功率半导体器件、半导体器件建模、氮化镓、电流-电压特性、高电子迁移率晶体管
更新于2025-09-04 15:30:14