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oe1(光电查) - 科学论文

13 条数据
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  • SnS?单晶的能带结构与光学常数

    摘要： 对六方相（空间群P63/mmc）SnS2晶体在300至10 K温度区间内进行了吸收（K）、反射（R）及波长调制透射（ΔT/Δλ）光谱研究。研究发现间接带隙（Eg ind - 2.403 eV）源于布里渊区Γ点与M点间非偏振的间接跃迁。E||b偏振下最小直接带隙（Eg dir - 2.623 eV）由允许的直接跃迁形成，而E⊥b偏振下（2.698 eV）则由布里渊区Γ点的禁戒跃迁形成。折射率（n）数值在3至4之间变化，且在2.6 eV处达到最大值。通过克拉默斯-克勒尼希分析从实测反射光谱计算出能量区域E > Eg（3 - 6.5 eV）的光学函数（n、k、ε1和ε2）。反射光谱和光学函数谱中观测到的特征被归因于电子跃迁，这些电子跃迁在理论计算的能带结构框架内得到了定位。

    关键词： 光学功能、电子能带结构、层状SnS2晶体、吸收、反射和透射光谱

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过应变工程增强单层SnSe的光吸收：一项DFT计算研究

    摘要： 采用APW+lo方法在DFT框架下研究了应变对单层SnSe电子和光学性质的影响。所施加的应变导致主要由s/p杂化构成的SnSe带隙发生直接-间接跃迁。扶手椅方向应变εac和锯齿方向应变εzz使未受应变时的1.05 eV带隙在12%压缩下降至0 eV，但在12%拉伸时带隙降至0.726-0.804 eV。双轴应变εb下的带隙始终随12%压缩至12%拉伸而增大。我们观察到介电函数实部ε1(ω)和虚部ε2(ω)的幅度增强14%-30%，峰值分布扩展至红外和紫外区域，且ε1(ω)和ε2(ω)光谱中出现新峰。因此，紫外区域的光吸收α(ω)显著增强，甚至在红外区域的更低能量处开始出现吸收。

    关键词： 应变、光学性质、电子能带结构、第一性原理、单层SnSe

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • CaTa2O6化合物的弹性和光电性质：立方相与正交相

    摘要： 采用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）模拟方法，通过高精度全势线性缀加平面波（FP-LAPW）方法在GGA+U近似下研究了CaTa2O6氧化物立方相和正交相的结构、电子、光学及弹性性质。计算所得晶格参数与现有实验数据相符。电子能带结构计算表明：立方相和正交相的带隙分别为3.08 eV和4.40 eV。针对这两种相态，在0-14 eV光谱范围内详细计算并讨论了主要光学性质（包括吸收系数、介电常数、能量损失函数、反射率、折射率及消光系数）。立方相与正交相呈现显著不同的光学特性。通过电荷密度分布图谱探究了不同对称性CaTa2O6的电子键合特征，发现强共价键特性在两种相态中均占主导地位。同时研究了CaTa2O6立方相和正交相的弹性性质，采用应力-应变法测定两相的弹性常数，并详细分析了体积模量、剪切模量、杨氏模量以及重要的弹性各向异性因子和泊松比等参数。

    关键词： 第一性原理密度泛函理论，GGA+U近似，FP-LAPW方法，光学常数，电子能带结构，电工材料

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 通过原位LEIPS与UPS结合GCIB对OLED器件电子能带结构的分析

    摘要： 低能逆光电发射谱（LEIPS）和紫外光电子能谱（UPS）被整合至多技术X射线光电子能谱（XPS）系统中，分别用于探测有机材料的电离能和电子亲和能。通过采用气体团簇离子束（GCIB），还实现了LEIPS和UPS的原位分析及深度剖析。成功评估了金（100纳米）/氧化铟锡（100纳米）/玻璃基底上10纳米厚富勒烯（C60）薄膜沿深度方向的能带结构。

    关键词： LEIPS–UPS，团簇离子束深度剖析，OLED器件，电子能带结构

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 脉冲激光沉积纳米级CeNi5薄膜的介电性能

    摘要： 采用复介电函数描述了玻璃或SiO2基底上脉冲激光沉积纳米级CeNi5合金层的介电特性。分别研究了该函数在紫外-可见-近红外光谱范围内实部ε1（介电常数或介电系数）与虚部ε2（介电损耗函数）的行为特征。这些纳米合金层是通过短调制激光脉冲从研磨的CeNi5块体粉末制备获得。使用液氮冷却稳定的氦氖激光器在632.8 nm波长下测量了所得纳米合金层的绝对反射率，并据此对紫外-可见-近红外波段相对微分反射光谱测量结果进行重新归一化处理。通过克拉默斯-克勒尼希理论处理获得的绝对反射光谱，从而计算出复介电函数的实部与虚部，并进一步推导出电子损耗函数-Im ε?1和-Im(1 + ε)?1。结合相关理论分析确定了这些函数在光谱拐点附近的行为特征，由此阐释了介电函数的变化规律并推断了电子态密度与能带结构形态。本研究表明所制备纳米级CeNi5结构的光学与电学性质具有层厚及沉积基底的依赖性。

    关键词： 介电常数、纳米级CeNi5薄膜、介电损耗函数、脉冲激光沉积、电子能带结构

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • Thue-Morse序列磁性非周期石墨烯超晶格中的能带与输运特性

    摘要： 利用转移矩阵方法，我们研究了具有磁垒的Thue-Morse非周期石墨烯超晶格中的电子能带结构和输运特性。研究发现，通过改变磁垒的高度与宽度比，可以阻断正常透射并沿波矢轴移动狄拉克点位置，这与电场调制的超晶格存在本质差异。此外，我们还研究了透射谱的角度阈值特性和电导的振荡特性。

    关键词： 石墨烯超晶格、输运性质、电子能带结构、磁垒、图厄-莫尔斯序列

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • InP1-xSbx合金在中红外光电子应用中的结构与电子性质研究：基于TB-mBJ DFT方法

    摘要： 采用WIEN2K软件包基于密度泛函理论，研究了不同锑掺杂比例下InP1-xSbx超胞结构的结构与电子特性。通过总能量计算优化了超胞晶格结构，状态方程分析表明该超胞结构具有显著稳定性及较高压缩柔性（尤其在低锑掺杂比例时）。研究了组成元素分波态密度与总态密度对超胞结构总态密度的贡献，各超胞结构沿高对称k方向的能带结构计算中考虑了相对论效应。直接/间接带隙、自旋轨道分裂能及弯曲系数的数值随锑摩尔分数呈现显著变化，且建立了带隙值与自旋轨道分裂能和锑摩尔分数的关联关系。同时分析了自旋轨道耦合效应对电子特性参数的影响。计算了不同锑掺杂比例下InP1-xSbx超胞结构布里渊区附近导带与价带（重空穴、轻空穴及自旋轨道分裂空穴）的子带有效质量。结果表明InP1-xSbx材料适用于中红外光电器件应用。

    关键词： III-V族半导体、电子能带结构、态密度、DFT计算、有效质量计算、结构与电子性质

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • III族氮化物纳米带的的结构与电子特性

    摘要： 我们采用密度泛函理论计算系统研究了III族氮化物纳米带的力学与电子特性。通过计算不同宽度、不同边缘构型（包括裸露边缘、完全氢钝化边缘及部分氢钝化边缘）的III族氮化物纳米带边缘应力与边缘模量，并进一步探究了氟钝化锯齿形边缘纳米带。结果表明：所有III族氮化物纳米带边缘均承受压应力，其应力大小强烈依赖于边缘构型；纳米带边缘的压应力状态会导致显著差异化的边缘畸变与边缘弹性模量，这种差异同样取决于具体边缘构型。针对所有锯齿形边缘纳米带，我们还计算了其电子能带结构，发现仅完全钝化的纳米带表现为具有间接带隙的半导体特性。这些发现表明边缘构型会显著影响III族氮化物纳米带的边缘弹性特性和电子特性，进而影响其实际应用。

    关键词： 边缘应力、III族氮化物纳米带、边缘模量、电子能带结构、密度泛函理论

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • NbTe2的晶体结构、电子和晶格动力学性质

    摘要： 层状结构材料因其准二维特性目前备受关注。研究其物理性质具有重要科学价值。二碲化铌具有单斜晶系层状结构，且碲原子平面存在畸变。这种结构复杂性阻碍了其基本物理性质的测定。本研究采用NbTe2晶体阐明了其结构、成分、电子及振动特性，并与基于密度泛函理论的模拟计算结果进行对比。通过原子探针断层扫描获得了纳米尺度的化学成分与元素分布。紫外光电子能谱首次测定了NbTe2的功函数（高达5.32 eV），其高功函数值与化学稳定性使其有望应用于光电子器件接触电极。采用488、633和785 nm三种激发激光线获取拉曼光谱，测得振动频率与密度泛函理论计算结果一致，并首次观测到理论预测的低频弱强度拉曼活性振动模式。通过计算获得了声子色散曲线、电子能带结构及其对应态密度。该材料的电学特性以及费米能级附近存在的类赝能隙，均表明其具有半金属特性。

    关键词： 电子能带结构、紫外光电子能谱、密度泛函理论、原子探针断层扫描、二碲化铌、层状结构材料、拉曼光谱、态密度、半金属

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 阳离子对Mn:ZnS与Mn:CdS量子点薄膜表面电子能带结构及磁性能的影响

    摘要： 报道了Mn掺杂对ZnS和CdS量子点的影响。扫描隧道谱显示，掺入Mn后CdS和ZnS的电子带隙均减小。Mn:ZnS表现出向更高偏压的刚性带移动，这让人联想到空穴掺杂效应。借助X射线光电子能谱分析认为，Mn:ZnS中的这种刚性带移动源于Zn空位的有利形成以及与未掺杂ZnS薄膜相比S空位的减少，从而导致了空穴掺杂机制。在CdS中，尽管通过光电子发射和磁测量可以证实Cd空位的存在，但未观察到刚性带移动。在引入Mn掺杂剂后，在Mn:CdS薄膜中观察到强烈的sp - d杂化。在室温下，未掺杂的ZnS和CdS量子点薄膜中均观察到d0铁磁性。当Mn掺杂到ZnS中时，磁化强度降低，这表明Mn - Mn或Mn - Zn空位最近邻之间呈反平行排列。密度泛函理论支持实验结果，表明最近邻Mn原子倾向于其磁矩反平行排列，且Mn优先处于+3氧化态的基态。

    关键词： 硫化镉、锰掺杂、量子点、磁性能、扫描隧道谱、电子能带结构、X射线光电子能谱、密度泛函理论、硫化锌

    更新于2025-09-11 14:15:04