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- 2019
- A. 银纳米粒子 B. 碳纳米管 E. 原位监测 D. 烧结 F. 电学性能 C. 纳米复合材料
- 复合材料与工程
- Gachon University
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采用单靶射频磁控溅射技术制备的铜锌锡硫（Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>）黄锡矿薄膜的相位优化及其用于太阳能电池的光电性能研究。
摘要： 通过优化射频功率、原位衬底温度及沉积后退火温度，采用射频溅射技术从单一四元靶材制备了Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜。通过X射线衍射、拉曼光谱和选区电子衍射研究，在特定优化条件下验证了晶态CZTS薄膜的单相形成。利用原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线能谱分析了非晶态与晶态CZTS的颗粒尺寸、形貌、粗糙度及元素组成。沉积后退火薄膜的光学吸收和光致发光研究表明其形成了无缺陷单相CZTS。根据Tauc图计算得出晶态CZTS的带隙为1.49eV。通过霍尔效应测量研究了优化CZTS薄膜的电学性能，显示其具有P型导电性及更优的载流子浓度与霍尔迁移率。
关键词： 光学性能、电学性能、无需后硫化工艺的相优化、太阳能电池材料、CZTS薄膜、单靶射频磁控溅射
更新于2025-09-11 14:15:04
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等离子体增强反应热蒸发法制备的氧化铟薄膜的电学特性
摘要： 研究了在不同基底温度下通过等离子体增强反应热蒸发法制备的透明氧化铟薄膜的结构与电学性能。发现这些薄膜具有晶粒结构?；孜露壬呋嵯灾岣弑∧さ牡绲悸什⑺醵坦獾绲汲谠ナ奔?。本文提出了对基底温度影响所研究氧化铟薄膜电学及光电性能变化机理的解释。
关键词： 氧化铟薄膜、电学性能、衬底温度、光电导性、等离子体增强反应热蒸发
更新于2025-09-11 14:15:04
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基于WO3的压敏电阻 - 综述
摘要： 压敏电阻是电力传输与分配系统或特殊电气装置中的元件。根据应用场景不同，压敏电阻制造为多种类型——从具有几粒厚度层和低击穿电压的低压器件，到击穿电压达数千伏的高压器件（如电力分配网络避雷器中使用的压敏电阻）。这类物理特性已被深入研究的元件具有共同特征，例如金属-半导体肖特基势垒结。多项研究聚焦于开发适用于高/低压应用的压敏电阻陶瓷材料，包括氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)、二氧化钛(TiO2)，以及近年出现的基于三氧化钨(WO3)的陶瓷。与前三个组分不同，基于WO3的陶瓷因含有单斜晶系和三斜晶系相而呈现本征压敏特性。通过添加电子给体/受体掺杂剂及在不同气氛中进行热处理，这些体系的非线性特性也会改变——因为这些操作会影响肖特基势垒的形成。本文综述了基于三氧化钨(WO3)的新型压敏电阻陶瓷组合物的研究文献。
关键词： 电学性能，三氧化钨，压敏电阻
更新于2025-09-11 14:15:04
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通过微波辅助剥离膨胀石墨获得的大尺寸少层石墨烯片的电学特性
摘要： 通过甲苯中膨胀石墨的(β)波辅助剥离法合成了少层石墨烯(FLG)，总产率约为7%至20%。膨胀石墨与甲苯对(β)波吸收率的显著差异使得介质能够快速升温。所得FLG片层数为3至12层，横向尺寸超过数微米。该FLG表现出极低电阻，平均值1.6千欧（最低500欧），与化学气相沉积法制备的高质量石墨烯相当，且低于多数剥离法石墨烯。
关键词： （cid:2）波、电学性能、膨胀石墨、少层石墨烯、电阻、液相剥离法
更新于2025-09-11 14:12:44
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五氧化二钒薄膜作为二氧化氮传感器 ?
摘要： 五氧化二钒薄膜通过射频反应溅射法从金属钒靶材沉积于绝缘基底上。采用不同组分比例的氩氧混合气体（通过流量控制）进行溅射。利用掠入射X射线衍射（GIXD）和扫描电子显微镜（SEM）进行结构与物相表征，薄膜厚度通过轮廓仪测定。GIXD证实所沉积薄膜为V2O5相。研究了该材料在410-617K温度范围内对4-20ppm二氧化氮气体的气敏性能，表现出良好的响应特性与可逆性。首次观测并讨论了金属-绝缘体转变（MIT）对传感器性能的影响，发现当温度超过545K时传感器灵敏度显著提升，这与推测的金属-绝缘体转变相关。
关键词： 反应溅射、五氧化二钒、金属-绝缘体转变（MIT）、电学性能、薄膜、气体传感器、二氧化氮
更新于2025-09-10 09:29:36
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采用DSC和交流阻抗谱研究Cu掺杂As-Se玻璃的热电性能
摘要： 采用差示扫描量热仪对CuxAs50Se50?x硫系化合物的热性能进行了研究。研究发现铜元素的引入显著影响结构网络的复杂性，这体现在Cu15As50Se35化合物中呈现的双阶段结晶过程。除α弛豫外，所有玻璃态样品在加热过程中均表现出β弛豫。网络结构的复杂性通过提高含铜量最高化合物的直流和交流电导率，从而影响其导电特性与输运性质。阻抗谱显示存在两个半圆，表明不同频率范围内存在两种极化过程。当铜含量为10和15原子百分比时，样品极化过程中存在的动力学及扩散效应会强烈影响低频至中频范围内介电常数实部出现异常高值的现象。
关键词： 交流阻抗谱、电学性能、热学性能、铜改性、差示扫描量热法、砷硒玻璃
更新于2025-09-10 09:29:36
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通过壳聚糖与聚咔唑的同步电沉积改善其电化学和结构性能
摘要： 通过电化学法合成了不同壳聚糖（Chi）负载量的聚咔唑/壳聚糖复合材料。采用循环伏安法、计时电流法、电化学阻抗谱、傅里叶变换红外光谱、热重分析和扫描电子显微镜对其电化学、结构、热学及形貌特性进行了表征，并通过四探针技术测量了导电性。电化学结果表明：随着电解液中壳聚糖含量的增加，聚合物复合薄膜的电导率提高。所制备的复合薄膜因含有壳聚糖而表现出增强的电导率和聚咔唑的结构性能。
关键词： 壳聚糖、电聚合、电学性能、聚咔唑、导电复合材料
更新于2025-09-10 09:29:36
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非晶InZnO:Li/ZnSnO:Li双有源层薄膜晶体管
摘要： 通过射频磁控溅射法制备了非晶态锂掺杂氧化铟锌和氧化锌锡（IZO:Li/ZTO:Li）双有源层薄膜晶体管（TFT）。双层堆叠的IZO:Li/ZTO:Li薄膜在可见光范围内的透射率超过85%。X射线衍射（XRD）结果表明该薄膜为非晶结构。研究了ZTO:Li层厚度对双有源层TFT电学特性及偏压应力稳定性的影响。随着ZTO:Li薄膜厚度增加，饱和迁移率（μSAT）先升高后降低，而阈值电压（VTH）向正方向偏移。优化ZTO:Li厚度的TFT表现出优异性能：饱和迁移率达33.2 cm2/V·s，阈值电压为3.2 V，亚阈值摆幅（SS）为0.6 V/十倍频程，开关电流比（ION/IOFF）高达3.2×10?。
关键词： B. 溅射，A. 半导体，D. 电学性能，A. 薄膜，A. 非晶材料
更新于2025-09-10 09:29:36
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金属夹层ZnO/Ti/Cu/Ti/ZnO透明导电薄膜的电学与光学特性
摘要： 采用磁控溅射技术制备了金属夹层氧化锌(ZnO)/钛(Ti)/铜(Cu)/Ti/ZnO薄膜体系，并通过快速热退火系统在100至400°C温度范围内进行退火处理。研究了Ti膜厚度及退火温度对表面形貌、方阻和光学性能的影响。随着退火温度升高，表面形貌变化较小；方阻随Ti膜厚度或退火温度增加而降低。最大透光率和品质因数均随Ti膜厚度增加而减小。最大透光率在100-300°C升温过程中升高后下降，而品质因数随温度升高持续提升，表明经400°C退火的金属夹层ZnO/Ti/Cu/Ti/ZnO薄膜体系具有最优性能。
关键词： 氧化锌、光学性能、退火、磁控溅射、铜、电学性能、透明导电薄膜、钛
更新于2025-09-10 09:29:36
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[电气工程讲义] 信号处理与通信进展 第526卷（ICSC 2018精选会议录）|| 绝缘体上极薄硅锗无结沟道晶体管（SG-OI JLCT）的摩尔分数依赖性电学性能
摘要： 本文研究绝缘体上极薄硅锗器件层单栅无结金属氧化物半导体场效应晶体管（ETSG-OI JL MOSFET），以分析该器件的短沟道效应（SCEs）与电学特性。该器件在SOI平台上采用无结拓扑结构，并融合了多种工程方案（沟道与侧墙工程方案）。通过改变硅锗器件层的摩尔分数（x=0.25、0.5、0.75）来探究其能带差异的影响，根据锗摩尔分数的变化分析了能量势、电场强度及漏致势垒降低（DIBL）性能。仿真结果显示当x=0.25时，ETSG-OI JLCT在线性区与饱和区漏压下均表现出合理的导通电流（ION）提升和DIBL改善。不同x值对应的能带隙变化范围为0.6-1.1 eV，其中x=0.25时因含25%锗材料，其能带隙为0.8 eV，接近硅材料的能带隙值。
关键词： 电学性能、硅锗、漏致势垒降低、导通-关断电流比、无结金属氧化物半导体场效应晶体管
更新于2025-09-10 09:29:36