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- A. 银纳米粒子 B. 碳纳米管 E. 原位监测 D. 烧结 F. 电学性能 C. 纳米复合材料
- 复合材料与工程
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通过可逆点波纹形成调控石墨烯的电学特性
摘要： 石墨烯中的应变、波纹和褶皱会降低载流子迁移率并改变电子行为。在少层石墨烯中，面内与面间电阻率的各向异性会发生改变，且可能打开带隙。我们在此展示一种可逆诱导电隔离少层石墨烯中点状波纹的方法，该方法能选择用于输运测量的层数（最低可至单层）。波纹形成过程中，面内与面间方块电阻分别最高增加78%和699%，证实微观起伏变化可单独解释石墨烯非理想载流子迁移率现象。该方法还能对少层石墨烯进行层数计数，在n≤4时与拉曼光谱和原子力显微镜形成互补。理解这些变化对实现基于石墨烯的实用振荡器、纳米机电系统和柔性电子器件至关重要。
关键词： 载流子迁移率、石墨烯、电学性能、柔性电子学、纳米机电系统、点状波纹形成
更新于2025-09-09 09:28:46
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《AIP会议论文集》[作者 第六届生产、能源与可靠性国际会议2018：世界工程科学与技术大会（ESTCON）-马来西亚吉隆坡（2018年8月13-14日）] - 氮和硼掺杂碳点薄膜的光电特性研究
摘要： 研究了两种掺杂氮和硼原子的碳点（CDs）的光学性质，以及由所得碳点在聚乙烯醇（PVA）基质中制成的薄膜的电学性质。采用水热处理法合成了碳点。所得碳点具有晶体结构，边缘和表面带有官能团（碳点的横向尺寸范围约为7-28纳米）。通过旋涂法在电惰性聚合物PVA基质内，由碳点的水悬浮液制得薄膜。测量了该薄膜的电流-电压特性。
关键词： 光学性能、聚乙烯醇基体、电流-电压特性、碳点、电学性能、旋涂法、水热处理、氮掺杂、硼掺杂
更新于2025-09-09 09:28:46
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《AIP会议论文集》[作者：SolarPACES 2017：国际聚光太阳能与化学能源系统会议——智利圣地亚哥（2017年9月26-29日）] - 碳钛多层薄膜：合成与表征
摘要： 采用热阴极真空电?。═VA）法在硅基底上制备了碳-钛（C-Ti）多层薄膜。涂层由低蒸发速率沉积的约100纳米碳基底层构成，随后在其上方交替沉积七组碳钛层，每层最终厚度达40纳米。本研究通过改变基底温度（0℃至300℃）和施加负偏压（0V至-700V）获得不同批次样品。利用透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、扫描透射电镜（STEM）及拉曼光谱技术表征了C-Ti多层结构的微观特性。摩擦学测量结果与Ti/C界面原子扩散过程相关。通过测量电阻随温度变化评估了导电性能。
关键词： Ti/C多层膜、TVA、扫描透射电子显微镜（STEM）、摩擦学性能、扫描电子显微镜（SEM）、能量色散X射线光谱（EDX）、拉曼光谱、电学性能、透射电子显微镜（TEM）
更新于2025-09-09 09:28:46
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反应溅射制备的CrxNy薄膜的结构、光学及电学特性：氮对相形成的影响
摘要： 通过直流（DC）反应溅射工艺，在不同氮分压（0、2×10??、3.5×10??和5×10??毫巴）条件下制备了多种CrxNy薄膜，并研究了其特性。采用X射线衍射和透射电子显微镜（TEM）进行样品结构分析，利用卢瑟福背散射谱进行元素分析。通过改变氮分压，分别获得了纯铬层、铬/氮化铬(II)/氮化铬混合相层以及单一相氮化铬层。TEM分析显示当氮分压为2×10??毫巴时，薄膜具有致密微观结构；而最高氮分压沉积的薄膜则呈现明显柱状结构?；谕制鞘荩捎玫侣车履Ｐ突虻侣车?陶克-洛伦兹联合模型评估了CrxNy薄膜的光学特性，发现折射率和消光系数均与沉积过程中主导相形成（铬、氮化铬(II)、氮化铬）密切相关。电学研究表明氮化铬(II)相呈现金属性质，氮化铬相则具有半导体特性。
关键词： 椭圆偏振光谱法、薄膜、氮化铬、电学性能、微观结构
更新于2025-09-09 09:28:46
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环境湿度对卤化铅钙钛矿电学性能的影响
摘要： 大量水分对卤化铅钙钛矿太阳能电池有害，主要原因是钙钛矿层会发生分解。相反，少量水分的存在已被证实对钙钛矿结晶过程及相应器件性能起关键作用。然而关于水分在钙钛矿太阳能电池运行中的确切作用仍存在争议。本文采用阻抗谱技术分析了环境湿度对甲基铵铅三碘钙钛矿电子特性的影响。结果表明：从环境湿度吸收的水分会使该材料电容值大幅增加，其数值甚至可达到基于钙钛矿器件的积累电容水平——这正是导致正向与反向J-V曲线间出现特征性大迟滞现象的原因。与这一显著的电容升高现象相伴的是，水分吸收还会引起电导率显著提升（与文献报道一致）。研究发现电子传输的活化能为0.52 eV，该数值与文献记载的离子传输活化能相符，暗示连接这两种现象的传输机制可能是双极扩散。
关键词： 阻抗谱、环境湿度、电学性能、卤化铅钙钛矿、电容、电导率
更新于2025-09-09 09:28:46
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PbS纳米片（PbSNSs）的表面积、光学及电学研究：面向可见光光电探测器应用
摘要： 本文报道了硫化铅纳米片（PbSNSs）的形貌、比表面积及详细的电学性能。扫描电子显微镜元素分布图证实最终产物中形成了PbS且Pb与S均匀分布。透射电子显微镜确认其形貌为纳米片。通过布鲁诺-埃米特-泰勒分析测得比表面积约为7 m2/g。测量了漫反射光谱并估算光学带隙约为1.284 eV。该带隙值使其适用于太阳能电池及其他光电器件。观测到随着光照强度增加，光敏性因光生载流子生成速率提高而增强。计算得出复合率为0.59，表明缺陷态在带隙中连续分布。微分寿命随时间延长而增加，且载流子寿命也随光照强度提升而延长。
关键词： 电子显微镜、电子材料、半导体、电学性能
更新于2025-09-09 09:28:46
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[2018年IEEE国际半导体电子会议(ICSE) - 吉隆坡(2018.8.15-2018.8.17)] 2018年IEEE国际半导体电子会议(ICSE) - 通过旋涂法制备的MEH-PPV:ZnO纳米复合薄膜中ZnO组分对其电学性能的影响
摘要： 有机半导体已实现商业化应用，尤其在有机发光二极管（OLED）等光电器件领域。聚[2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑]（MEH-PPV）因易于合成、能以高分子量和高纯度沉积，被广泛应用于光电器件。本研究采用室温旋涂法制备了MEH-PPV:ZnO纳米复合材料，通过改变ZnO组分比例对薄膜性能进行研究。电学测试表明，当ZnO含量为0.2 wt%时，纳米复合薄膜表现出最高导电率（7.40×10?1 S·cm?1），适合作为光电器件材料应用。
关键词： MEH-PPV：ZnO纳米复合薄膜，电学性能，旋涂法，ZnO组分
更新于2025-09-04 15:30:14
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低能量（千电子伏）负锂离子注入对电化学诱导支架上PbSe纳米线生长特性的影响
摘要： 本工作采用限制性模板电沉积技术合成了PbSe纳米线，并在真空环境下以不同注量植入200 keV负锂离子。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征了纳米线的形貌。X射线衍射图谱证实原始样品与离子注入样品具有相同晶体结构，但观察到衍射峰强度变化。采用改进的Scherrer法和Williamson-Hall法(UDM和USDM)评估了晶粒尺寸。对原始样品和离子注入样品进行了应力、应变、层错、位错密度及晶格参数的测定。紫外-可见光谱结果表明光学带隙随离子注量增加而减小。光致发光光谱显示发射峰随离子注量增加而减弱。纳米线的I-V曲线在高电压区呈现空间电荷限制电流(SCLC)特性。由于自由载流子浓度增加，观察到离子注量增大时电流随之增强。
关键词： 硒化铅纳米线、负锂离子注入、电学性能、结构性能、光学性能、电沉积
更新于2025-09-04 15:30:14
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用于光电子应用的高质量ZnTe纳米片的空间限域物理气相沉积
摘要： 具有新颖特性的低维半导体纳米材料在电子学和光子学应用方面展现出巨大潜力。本研究报道了通过空间限域物理气相沉积法制备高质量超薄ZnTe纳米片。所制备的ZnTe纳米片结晶良好，呈现闪锌矿晶体结构，横向尺寸可达数十微米，厚度薄至数十纳米?；诘ツ擅灼⌒в骞苤な灯渚哂衟型导电性。由高质量ZnTe纳米片构建的光电探测器表现出高光电响应度（453.9 A W?1）、优异的稳定性和可靠性。这些结果表明此类高质量ZnTe纳米片是光电器件的优秀候选材料。
关键词： 空间限域生长、光电探测器、电学性能、物理气相沉积、碲化锌纳米片
更新于2025-09-04 15:30:14
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施主掺杂钛酸铋陶瓷的点缺陷化学
摘要： 本通信报道了室温下掺钡钛酸铋(Bi4Ti3O12)的缺陷化学特性，重点研究了点缺陷对其电学性能的影响。采用传统固相反应法制备了纯相和掺钡Bi4Ti3O12样品。通过X射线衍射结合Rietveld精修分析监测了钡离子在Bi4Ti3O12晶体结构中的掺入情况，确定钡占据铋(Bi)晶格位点并伴随氧空位(V??O)的形成。利用阻抗谱和电子自旋共振光谱对点缺陷进行表征，结果表明其补偿机制主要由带正电的空穴(h?)和氧空位(V??O)主导。
关键词： 缺陷化学、X射线衍射、Rietveld精修、阻抗谱、固相反应、掺钡钛酸铋、电子自旋共振谱、电学性能、氧空位
更新于2025-09-04 15:30:14