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X射线吸收光谱揭示的Al2O3/GaN界面GaN侧局域原子结构
摘要： 通过检测源自镓K壳层吸收的Ga LMM俄歇电子，采用表面敏感的镓K边扩展X射线吸收精细结构光谱技术，研究了栅极绝缘体（Al2O3）与半导体（GaN）之间的界面。该GaN侧界面研究是在通过原子层沉积形成的Al2O3薄膜上进行的。确定的原子结构揭示了由于氮退火导致的GaN晶体变化和Ga-O键的形成。
关键词： 氧化铝（Al2O3）、界面、沉积后退火（PDA）、氮化镓（GaN）、扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）、原子层沉积（ALD）
更新于2025-09-19 17:13:59
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采用TDMATi和NH3的等离子体增强原子层沉积法制备等离子体TiN超薄膜
摘要： 过渡金属氮化物（如氮化钛TiN）是极具前景的等离激元材料替代选择。本研究展示了在晶格匹配与失配衬底上低温等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）制备非化学计量比TiN0.71的方法。研究发现，在MgO和Si<100>衬底上，无论是42纳米厚膜还是11纳米薄膜均呈现光学金属特性，在可见光波段（550-650纳米范围）具有等离激元共振特性。实验证实氢等离子体后处理工艺能提升超薄膜在两种衬底上的金属特性：使MgO衬底上ε1斜率增大1.3倍，Si(100)衬底增大2倍，达到与更厚金属特性薄膜相当的水平。该后处理工艺还能调控薄膜的等离激元特性，在硅衬底上使等离激元共振峰蓝移44纳米，在MgO衬底上蓝移59纳米。
关键词： 光学特性、等离子体学、原子层沉积（ALD）、薄膜、氮化钛
更新于2025-09-16 10:30:52
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3.4：TFE无掩模技术在可折叠AMOLED显示器中的应用
摘要： 用于可折叠AMOLED显示屏的薄膜封装（TFE）必须具备良好的可靠性与优异的弯折性能。传统TFE掩模易产生颗粒，且厚TFE层在面板弯折时会出现裂纹。我们开发了具有高防水性且极薄厚度的Al2O3层TFE方案，满足了可靠性与弯折性的双重需求。该TFE结构中的Al2O3层采用低温原子层沉积（ALD）工艺制备，并通过优化Al2O3干法刻蚀参数实现了无掩模TFE工艺——研究发现BCl3在无机层（SiOx/SiNx/SiOxNy）与Al2O3之间具有卓越的干法刻蚀选择性。此外，我们还尝试让TFE有机层充当刻蚀掩模并证实其可行性，表明所有TFE掩模均可有效去除。更重要的是，我们验证了无掩模TFE结构的AMOLED显示屏具备优良的光学特性与可靠性表现。
关键词： 原子层沉积（ALD）、无掩模、薄膜封装（TFE）、有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）
更新于2025-09-11 14:15:04
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通过X射线光电子能谱测量BiOCl/ZnO核壳纳米片的能带排列
摘要： 为改善铋系氧卤化物的光电性能，混合BiOX光催化材料因其光生电子-空穴对的分离特性而备受关注。能带偏移与能带排列被视为阐明异质结中载流子传输特性的关键参数。本文通过合成不同壳层厚度的BiOCl/ZnO核壳纳米片来确定其能带排列，采用X射线光电子能谱测量确定了BiOCl/ZnO异质结构的价带偏移量（VBO或DEV）。以Zn 2p3/2和Bi 4f5/2结合能为基准计算得出DEV值为0.294±0.10 eV。结合ZnO和BiOCl样品的带隙值（分别为3.37 eV和3.4 eV），最终获得具有0.324±0.10 eV导带偏移量（CBO或DEc）的II型能带排列BiOCl/ZnO异质结构。
关键词： X射线光电子能谱（XPS）、带阶、BiOCl、ZnO、原子层沉积（ALD）
更新于2025-09-09 09:28:46
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在氮气环境下通过油酸在氧化铁纳米粒子表面热解制备的用于水分解应用的具有光电极化学活性的N吸附超薄TiO?层
摘要： 高性能光催化表面在能源领域备受青睐，主要因其可作为光解水电极的应用价值。当前该领域面临的核心挑战在于：如何在多种基底上制备出可控性高且高效的光活性表面。原子层沉积技术已能实现在各类材料与表面上沉积光活性二氧化钛薄膜，但通过氮掺杂来调控光活性表面吸收边（这是提升性能的有效手段）仍具技术难度。本研究提出基于朗缪尔-施莱弗法与原子层沉积的分级纳米结构表面制备方法：通过相对低温条件下催化分解氧化铁纳米颗粒的油酸封端层，继而进行氮吸附，从而制得具有水分解光电化学活性的超薄二氧化钛层。结果表明，简单的氮吸附就足以使二氧化钛层带隙变窄（达0.12电子伏特），其效果等同于替代式氮掺杂材料的带隙窄化程度。光催化活性测试显示，经氮吸附处理的二氧化钛层在水分解应用中活性提升约90%。
关键词： 朗缪尔-席夫法、磁铁矿（Fe3O4）、光催化、二氧化钛（TiO2）、原子层沉积（ALD）
更新于2025-09-04 15:30:14
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自下而上：实现高选择性的区域选择性原子层沉积
摘要： 通过区域选择性原子层沉积（ALD）实现的自下而上纳米制造技术，因能消除自上而下加工中日益凸显的边缘定位误差，在半导体加工领域正获得强劲发展势头。此外，该技术在催化剂原子级精准合成等诸多领域也展现出新机遇。本文综述了区域选择性ALD领域的最新进展，探讨了实现高选择性的挑战，并提出了改进该工艺的展望。沉积过程中选择性丧失的普遍原因是：本不应发生沉积的表面在接触ALD化学环境后特性会发生改变。解决方案是在ALD过程中实施表面功能化或选择性刻蚀等修正步骤，由此发展出将传统两步法ALD循环与多步循环及/或超循环配方中的修正步骤相结合的先进ALD循环工艺。
关键词： 表面功能化、半导体加工、区域选择性原子层沉积、催化剂合成、选择性、自下而上纳米制造、选择性刻蚀、原子层沉积（ALD）
更新于2025-09-04 15:30:14
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高效稳定的硅光阴极用混合相（2H和1T）二硫化钼催化剂
摘要： 我们通过原子层沉积（ALD）技术在硅衬底上直接制备混合相（1T和2H）二硫化钼（MoS2）光电极层，用于光电化学（PEC）水分解制氢。该p-Si/SiOx/MoS2光电极无需传统硅与MoS2之间的串联金属界面，在析氢反应（HER）中展现出高效稳定的性能。其优异表现源于三维空间真实器件架构（即横向同质结与纵向异质结结构）。ALD生长的混合相1T/2H同质结MoS2覆盖层既能钝化光吸收体与表面态，又可作为整体结构实现MoS2内部高效电荷传输?；旌舷嘀呋列纬傻姆蔷仁评莞叨纫灿欣趐-i-n异质结运行——优化MoS2厚度后有效势垒高度达0.8 eV，在不采用埋入式硅p-n结的情况下实现670 mV光电压提升。光照瞬态行为表明，混合相层状硫族化合物通过界面费米能级解钉扎作用可作为高效助催化剂。在0.5 M硫酸溶液中还实现了约70小时的长期稳定运行。
关键词： 夹断效应、二硫化钼、光电化学水分解（PEC）、p-i-n异质结、原子层沉积（ALD）
更新于2025-09-04 15:30:14