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oe1(光电查) - 科学论文

147 条数据
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  • 高温成形气体退火对含硅酸镧与原子层沉积SiO<sub>2</sub>栅介质的4H-SiC横向MOSFET电学特性的影响

    摘要： 我们研究了初始氧化镧（La2O3）厚度与退火气体处理（FGA）条件对MOSFET性能的影响。实验表明，FGA能显著提升4H-SiC MOSFET的阈值电压（VT）稳定性。该工艺通过钝化硅酸镧介质中的悬键和活性陷阱，降低界面态密度及陷阱效应，从而改善VT不稳定性并提高高场效应迁移率。通过优化La2O3界面层厚度与FGA条件，实现了兼具高阈值电压、高迁移率且阈值电压漂移最小的SiC MOSFET器件。

    关键词： 碳化硅，硅酸镧，原子层沉积，成膜气体退火

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 后氧化退火对4H-SiC/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MOS电容器电学特性及界面的影响

    摘要： 本文报道了退火形成气体对原子层沉积（ALD）法制备的Al2O3/SiC MOS电容器C-V特性和稳定性的影响。通过C-V和I-V测试评估了Al2O3层及Al2O3/SiC界面的质量。与沉积态样品相比，高温下在形成气体中进行氧化后退火（POA）改善了C-V特性的稳定性以及Al2O3/SiC电容器的界面性能。然而，随着退火温度升高，氧化层电容和氧化层击穿电场强度出现下降。该结果为通过优化退火温度来提升4H-SiC器件中Al2O3/SiC电容器的性能提供了依据。

    关键词： 形成气体，氧化铝，原子层沉积，界面态密度，4H-碳化硅

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 用于热薄膜沉积过程诊断的光学可及?？榛从ζ鞯纳杓朴朐诵?

    摘要： 本文描述了一种设计简单、光学可视的?？榛从ζ?，用于探究热薄膜沉积过程（如原子层沉积工艺ALD和化学气相沉积CVD）。该反应器标准占地面积为225平方厘米，质量约6.6千克，体积小巧，可便捷作为光学系统?？樽榧褂?。其设计结构简单，便于制造且成本相对较低。通过两项红外吸收测量来表征反应器运行特性，从而确定四(二甲氨基)钛和水这两种典型ALD前驱体在ALD常用压力与流量条件下的排空时间。

    关键词： 原子层沉积（ALD）、原位、反应器、诊断、化学气相沉积（CVD）、光学池

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 利用嵌入式超小铂纳米颗粒作为闪存忆阻器存储单元中的电荷捕获层

    摘要： 本研究开发了一种通过原子层沉积（ALD）技术制备高度可控且均匀分散金属纳米粒子的方法。研究展示了全ALD生长的薄膜闪存（TFFM）单元及其应用——以超小铂纳米粒子（Pt-NPs）作为电荷捕获层和控制隧道氧化层。这些超小Pt-NPs尺寸介于2.3至2.6纳米之间，粒子密度约为2.5×1013 cm?2。研究探究了嵌入存储层的Pt-NPs对电荷存储的影响，通过TFFM的电学特性观测到超小Pt-NPs在存储层中的电荷效应，并采用高分辨率扫描电子显微镜（HR-SEM）观察Pt-NPs。存储效应通过IDS-VDS和IDS-VGS曲线的迟滞现象得以显现。TFFM单元的电荷存储能力表明，ALD生长的Pt-NPs与ZnO层结合可视为存储器件的有希望候选方案。此外，ZnO TFFM展现出高达52个数量级的ION/IOFF比（Vgs曲线）。制备的TFFM呈现明显夹断效应并表现出n型场效应晶体管（FET）特性。研究还讨论了原子尺度可控Pt-NPs对器件性能提升的作用，指出ALD生长的Pt-NPs可作为替代量子点结构应用于纳米级电子器件。

    关键词： 氧化锌、薄膜闪存、铂纳米粒子、原子层沉积、忆阻器

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 通过原子层沉积（ALD）在硅纳米线上沉积的氧化锌的光学特性

    摘要： 在这项工作中，我们报道了通过结合纳米球光刻（NSL）、金属辅助化学蚀刻（MACE）和原子层沉积（ALD）技术合成硅核/氧化锌壳纳米线（SiNWs/ZnO）的概念验证结果。采用X射线衍射、拉曼光谱、扫描和透射电子显微镜对制备的SiNWs/ZnO纳米结构进行了结构特性研究。X射线衍射分析表明所有样品均具有六方纤锌矿结构，晶粒尺寸范围为7-14纳米。通过反射光谱和光致发光光谱研究了样品的光学特性。SiNWs/ZnO样品的光致发光（PL）光谱研究表明缺陷发射带占主导地位，表明所制备的三维ZnO纳米结构存在化学计量比偏差。随着SiNWs蚀刻时间增加，观察到SiNWs/ZnO的PL强度降低，这反映了纳米线长度增加导致光散射增强。这些结果为电子器件和传感器的设计开辟了新前景。

    关键词： 纳米球光刻（NSL）、原子层沉积（ALD）、硅纳米线（SiNWs）、金属辅助化学蚀刻（MACE）、氧化锌（ZnO）

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 通过原子层沉积技术对CsPbBr<sub>3</sub>纳米晶发光二极管进行界面工程调控

    摘要： 钙钛矿纳米晶（PNC）在发光二极管（LED）应用中易受溶液腐蚀及水/氧氧化影响。本研究采用原子层沉积（ALD）技术对CsPbBr3纳米晶发射层进行Al2O3填充与界面工程处理，并制备了基于无机电子传输层的CsPbBr3-ZnMgO LED器件。ALD引入的Al2O3层显著提升了CsPbBr3 PNC薄膜在旋涂过程中对ZnMgO极性溶剂乙醇的耐受性。经ALD处理的CsPbBr3 PNC-ZnMgO LED工作寿命延长至CsPbBr3 PNC-TPBi LED器件的约两个数量级，同时外量子效率（EQE）值大幅提升。此外，Al2O3对CsPbBr3层的填充使发光层内载流子迁移率提高40倍以上。但绝缘的Al2O3层会阻碍不同功能层间的界面载流子传输，该层能有效阻隔过量电子传输。这种有利的能带排列促进了器件载流子平衡，在ALD Al2O3界面工程作用下显著改善了器件的电致发光性能，理论器件模拟进一步验证了该结论。本文提供了一种兼具高效与长寿命的PNC-LED器件简易制备方法。

    关键词： 发光二极管、工作稳定性、界面工程、原子层沉积、CsPbBr3钙钛矿纳米晶体

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 铝氧化物钝化III-V族材料对锗基多结太阳能电池中荧光耦合效应空间分布的影响

    摘要： III-V族多结太阳能电池（MJSCs）中发光耦合（LC）效应的不均匀性部分归因于边缘缺陷处的复合。研究人员通过原子层沉积法在InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的侧壁沉积薄层Al2O3进行钝化处理以解决该问题。结果表明：对完整MJSC进行侧壁钝化可使受限GaAs中间电池的LC电流收集效率提升21.9%，并增强其均匀性达7.2%；由此证实了这种提升子电池间电流匹配度的无损方法。

    关键词： 光伏电池、发光耦合、电流分布图、原子层沉积、激光束诱导钝化

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 原子层沉积和化学气相沉积在钙钛矿太阳能电池中的应用

    摘要： 金属卤化物钙钛矿太阳能电池（PSCs）在过去十年间迅速发展，已成为即将实现商业化的光伏技术。在此过程中，人们探索了多种制备策略，旨在同时优化器件效率、稳定性和可扩展性?；喑粱–VD）和原子层沉积（ALD）已被证明是制备PSCs各组件的有效工具。本文综述了CVD和ALD在电荷传输层、钝化层、吸光材料、封装层及电极的沉积与改性中的应用，阐述了这些气相沉积技术在先进多结太阳能电池器件中的运用，并基于文献报道的原位表征结果，讨论了金属卤化物钙钛矿材料在CVD和ALD条件下的稳定性。文章最后展望了未来可开展的CVD和ALD研究方向，以进一步推动PSCs在新兴太阳能光伏市场中的应用。

    关键词： 吸收体材料、钝化层、封装材料、原子层沉积、电荷传输层、化学气相沉积、钙钛矿太阳能电池、电极

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 薄膜太阳能电池

    摘要： 铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池存在背接触处的高复合损耗以及前接触层的寄生吸收问题。介电钝化层能克服这些限制，实现对界面复合的有效控制——随着薄膜太阳能电池效率提升且厚度减薄以减少贵金属消耗，这一特性变得愈发重要。我们展示了通过原子层沉积技术在CIGS上制备的氧化物基钝化层的光电与化学界面特性。适当的沉积后退火工艺可消除有害界面缺陷并促使CIGS表面重构氧化。不同钝化方案的光电界面特性高度相似，证明无论钝化氧化物中采用何种金属元素，都能有效抑制界面态。当使用氧化铝（Al2O3）作为钝化层时，我们证实其界面电荷会产生额外的场效应钝化作用，形成优于最先进硫化镉（CdS）缓冲层的界面钝化效果?；诟没Ы缑婺Ｐ?，我们开发出无需接触图案化的全区域背面界面钝化层，相比标准钼背接触实现了1%的绝对效率提升。

    关键词： 铜铟镓硒（CIGS）、硫化镉（CdS）、原子层沉积、氧化、薄膜太阳能电池、复合损耗、氧化铝（Al2O3）、界面钝化

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 埃级厚氧化锌钝化层提升二氧化钛纳米线光阳极光电化学水分解性能：沉积温度的作用

    摘要： 本文证明，埃级厚度的单原子层沉积（ALD）ZnO钝化能显著提升水热法生长的TiO?纳米线（NWs）的光电化学（PEC）活性。研究发现，这种超薄ZnO涂层可在不影响载流子转移动力学的前提下钝化TiO?表面缺陷态。此外，通过改变ZnO层的沉积温度（80°C和250°C），分别制备出80°C TiO?-ZnO和250°C TiO?-ZnO样品，发现低温沉积单层ZnO比高温沉积具有更高的PEC活性。PEC表征证实：在80°C下沉积单层ZnO可使裸TiO?纳米线的光转换效率提升1.5倍。值得注意的是，由于该涂层属于钝化层而非连续壳层，在保持PEC稳定性的同时（此特性是厚壳层结构无法实现的），本文提出了一种自下而上的异质结电子转移动力学调控方法，该方法可推广至其他金属氧化物组合体系。

    关键词： 沉积温度，原子层沉积，光电化学水分解，氧化锌钝化，二氧化钛纳米线

    更新于2025-09-23 15:21:01