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oe1(光电查) - 科学论文

26 条数据
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  • 具有低退火温度下高迁移率的双有源层InZnO:N/InZnSnO薄膜晶体管

    摘要： 本文成功制备了具有InZnO:N/InZnSnO（IZO:N/IZTO）双有源层的底栅顶接触薄膜晶体管（TFT）。通过射频磁控溅射法在室温下将IZO:N/IZTO薄膜沉积于SiO2/p-Si衬底上。在可见光范围内，IZO:N薄膜与IZTO薄膜的透光率均超过80%。X射线衍射（XRD）分析表明，在325°C退火温度下，IZO:N薄膜与IZTO薄膜均呈非晶态。该双有源层IZO:N/IZTO TFT展现出优异的电学性能：饱和迁移率达41.5 cm2 V?1 s?1，开关电流比达2.88×10?，阈值电压为1.0 V，实现了在325°C低退火温度下的高迁移率特性。

    关键词： 低退火温度，射频磁控溅射，高迁移率，氮掺杂铟锌氧/铟锌锡氧，薄膜晶体管

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 采用纯金属锌靶和氧化锌陶瓷靶射频磁控溅射制备ZnO薄膜的结构与性能对比研究

    摘要： 本研究中，采用不同溅射靶材（ZnO陶瓷靶和纯金属Zn靶）在不同衬底温度（300°C至600°C，间隔100°C）下通过脉冲激光沉积法制备了ZnO薄膜，并对其性能进行了分析。结果表明，在400°C衬底温度下，ZnO薄膜呈现c轴择优取向，且由于薄膜缺陷减少而表现出最优性能。数据分析还显示，使用ZnO陶瓷靶制备的ZnO薄膜性能优于纯金属Zn靶制备的样品。研究认为，ZnO陶瓷靶制备的薄膜具有优异性能归因于氧空位减少和薄膜缺陷降低。

    关键词： 氧化锌陶瓷靶材，射频磁控溅射，纯金属锌靶材，氧化锌，薄膜

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 非晶铟锌锡氧薄膜晶体管中沟道厚度变化的影响

    摘要： 研究了In2O3–ZnO–SnO2体系中的三元氧化物薄膜在氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）中的潜在应用。采用射频磁控溅射法在室温下于n++硅衬底上沉积非晶态In–Zn–Sn–O（a-IZTO）有源沟道层。使用标称化学成分为In:Zn:Sn = 40:50:10（原子百分比）的烧结陶瓷靶材制备薄膜，厚度范围为15 nm至150 nm，随后在空气中以350°C退火30分钟。接着通过掩模版使用电子束蒸发器在顶层沉积双层Cu/Ti金属接触作为源/漏电极。有源沟道层的厚度对氧化物薄膜晶体管的特性影响显著。测试器件中，当沟道厚度为30 nm时表现出最佳晶体管特性：高开关电流比约108、高场效应迁移率25 cm2/Vs、低阈值电压?0.1 V以及极小的亚阈值摆幅0.14 V/dec。

    关键词： 薄膜晶体管，铟锌锡氧化物，非晶氧化物，射频磁控溅射，IZTO，沟道厚度

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 在PET基板上室温射频磁控溅射沉积氢化掺镓氧化锌薄膜用于PDLC器件

    摘要： 本工作采用射频磁控溅射技术在室温下于聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上沉积了氢化镓掺杂氧化锌（HGZO）薄膜。系统研究了射频功率与氩氢混合气体流量对HGZO薄膜电学及光学性能的影响。所有HGZO薄膜在可见光范围内均表现出约77.3-82.9%的高平均透过率，最小电阻率低至7.1×10?? Ω·cm?；贖GZO薄膜的聚合物分散液晶器件也成功实现了潜在应用验证。

    关键词： 射频磁控溅射、HGZO薄膜、PDLC器件、PET基底

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 采用射频磁控溅射与热退火工艺制备的高透明导电氧化铟锡薄膜

    摘要： 通过射频磁控溅射和后续热退火工艺制备了高质量氧化铟锡（ITO）薄膜。热退火温度与气氛对ITO薄膜的光电性能具有显著影响。初始生长的110纳米厚ITO薄膜在550纳米波长处透光率为34.2%，电阻率达9.2×10?? Ω·cm。值得注意的是，在氮气环境中850°C退火1分钟的ITO薄膜表现出显著提升的透光率（97.3%）和低电阻率（1.3×10?? Ω·cm），而在空气或氧气环境中退火的样品虽保持良好透光率，但因氧元素存在导致电学性能较差。氮气退火ITO薄膜的高质量可归因于：有效抑制氧元素掺入（从而维持ITO薄膜中的氧空位）、增强锡掺杂效应，以及通过增大晶粒尺寸提升结晶度的协同作用。

    关键词： ITO、射频磁控溅射、光学透过率、快速热退火

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 溅射沉积的Gd0.1Ce0.9O1.95薄缓冲层在Y稳定氧化锆晶体基底上的界面扩散研究——用于固体氧化物电池应用

    摘要： 本文报道了通过射频磁控溅射在晶体(111)取向YSZ衬底上沉积的Gd0.1Ce0.9O1.95薄膜的形貌与结构特性研究结果。对室温原位生长的样品进行了600°C至1300°C不同温度的退火处理。原子力显微镜分析显示平均晶粒尺寸随退火温度升高而增大。X射线衍射测量表明晶粒沿(111)方向择优生长，且计算得到的c轴长度随退火温度升高而减小，这可能与样品过度氧化有关。针对700-1000°C退火的薄层进行的X射线反射率研究表明，在层/衬底界面和层/真空表面存在具有不同密度和粗糙度的区域，并探究了这些区域随温度的变化行为。所得结果似乎排除了GDC/YSZ界面存在显著互扩散现象的可能性。

    关键词： 固体氧化物电池，X射线反射率，倒易空间图，射频磁控溅射，钇稳定氧化锆，掺杂钆的二氧化铈，互扩散

    更新于2025-09-04 15:30:14