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oe1(光电查) - 科学论文

32 条数据
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  • P-10.2：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备的SiNx薄膜对薄膜封装性能的影响

    摘要： 采用低温等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术在有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示器的薄膜封装中制备无机层。我们系统地获得了不同射频功率下的氮化硅（SiNx）薄膜，通过表征和分析应力与折射率来研究薄膜性能。结果表明，不同射频功率会导致不同的薄膜应力，精心设计的应力匹配多层SiNx结构能显著提升薄膜封装（TFE）的可靠性。此外，采用新型多层SiNx无机层TFE结构的OLED显示器在60℃、90%湿度条件下的加速老化寿命（RA）从240小时大幅提升至480小时。

    关键词： 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、氮化硅（SiNx）、薄膜封装、柔性有机发光二极管（OLED）

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 低温晶圆级二硫化钼-石墨烯异质结构生长

    摘要： 在本研究中，我们成功展示了通过在石墨烯上沉积薄钼薄膜种子层，随后采用硫化氢等离子体硫化工艺，在4英寸晶圆上于300摄氏度下制备二硫化钼-石墨烯异质结构（MGH）。通过拉曼光谱和高分辨透射电子显微镜确认，整个衬底上均匀生长了具有高密度硫空位的5-6层二硫化钼。利用X射线光电子能谱评估了石墨烯上二硫化钼的化学成分，测得钼与硫的原子比为1:1.78，远低于标准二硫化钼的化学计量值2:1。为利用本工艺获得的纳米晶缺陷MGH薄膜特性，我们将其用作加氢脱硫催化剂和析氢反应电催化剂。与在非晶二氧化硅衬底上生长的二硫化钼相比，该MGH具有更小的起始电位和塔菲尔斜率，表明其催化性能得到增强。这种实用的生长方法可推广至其他二维晶体，这些材料在电子器件和催化等广泛领域具有潜在应用价值。

    关键词： 等离子体增强化学气相沉积、石墨烯、大规模、异质结构、析氢反应、二硫化钼

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 通过发射光谱对PECVD非晶硅界面钝化层进行大规模数据分析以实现参数化主成分分析

    摘要： 本研究采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）结合原位光学发射光谱仪（OES）等离子体诊断工具制备氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜。通过两种不同预沉积时间测量了a-Si:H薄膜的钝化质量，结果表明钝化层质量受腔室本底环境影响显著：预沉积时间为60分钟和150分钟时，少数载流子寿命分别从约300微秒大幅提升至777微秒，这主要归因于预沉积过程中腔室环境与气体放电状态的稳定。透射电镜照片显示，经150分钟预沉积后形成了约10纳米厚的致密a-Si:H界面钝化层，其界面无空隙且无晶粒析出。此外，运用主成分分析（PCA）技术探究了沉积a-Si:H薄膜的等离子体特性（OES光谱）与钝化质量（少数载流子寿命）的关联性。当预沉积时间为150分钟时，PECVD工艺健康状态被判定为高寿命状态（平均健康值0.58，控制限0.28）。生成的健康值可解释并反映PECVD工艺状况，为获得更高寿命的钝化质量提供重要依据。

    关键词： OES（光发射光谱），主成分分析，PECVD（等离子体增强化学气相沉积），预沉积时间，FTIR（傅里叶变换红外光谱），非晶态

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 采用富碳硅氮烷前驱体对低k值硅碳氮化物薄膜进行宽带紫外辅助热退火处理

    摘要： 采用富碳硅氮烷前驱体N-甲基-氮杂-2,2,4-三甲基硅杂环戊烷(SiC7NH17)，通过等离子体增强化学气相沉积法在100°C下制备了低k介电常数硅碳氮化物(SiCxNy)薄膜。对SiCxNy薄膜进行400°C、5分钟的热退火和宽带紫外辅助热退火(UV退火)后处理。与单纯热退火相比，UV退火能同时改善低k值SiCxNy薄膜的介电性能和机械性能。热退火处理下薄膜表现出优异的热稳定性但结构变化微?。欢鳸V退火过程中大部分Si-H和N-H键断裂，促使更多Si-N交联形成并使Si-C基质转化为Si-N基质。Si-(CH2)2-Si中的乙烯桥结构保持完整，但Si-(CH2)2-N和Si-CH2-CH3键中的非桥接烃类在UV退火过程中完全分解。这些变化使得薄膜介电常数从3.6降至3.2，杨氏模量提升21%达到7.4GPa?？泶贤馔嘶鹱魑嵘蚹介电屏障SiCxNy薄膜性能的后处理方法展现出良好应用前景。

    关键词： 低k电介质、碳氮化硅、紫外辅助热退火、等离子体增强化学气相沉积、机械性能

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 采用等离子体增强化学气相沉积层堆叠钝化的直拉硅寿命样品中的体相与表面相关退化

    摘要： 在80-150°C光照处理过程中，直拉硅制成的寿命样品会先出现显著的体相关衰减（BRD），随后发生表面相关衰减（SRD）影响有效过剩载流子寿命。样品采用完全源自等离子体增强化学气相沉积的AlOx:H/SiOxNy:H/SiNx:H或SiOxNy:H/SiNx:H叠层进行钝化。不同钝化叠层和处理条件下，样品的BRD表现出显著差异，并讨论了其与光照和高温诱导衰减（LeTID）的潜在关联。所有样品均在带式炉中烧结，烧结温度和带速的变化对SRD有轻微影响。此外，随着处理温度升高，SRD加速，在SiOxNy:H/SiNx:H钝化样品中测得表观活化能Eapp=1.07±0.02 eV。但由于SRD过程中界面缺陷和固定电荷密度同时发生变化，该Eapp值的解释存在困难。

    关键词： 光致衰减（LeTID）、表面相关衰减、光诱导衰减、直拉法（Czochralski）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 前驱体流速对PACVD法沉积的a-C:H:SiO<sub>x</sub>薄膜物理力学性能的影响

    摘要： 本文介绍了在氩气与聚苯基甲基硅氧烷（PPMS）蒸气混合气体中，通过施加脉冲双极偏压于基底，采用等离子体活化化学气相沉积法制备a-C:H:SiOx薄膜的过程。论文探讨了沉积薄膜的物理力学性能与PPMS前驱体流速的依赖关系。利用傅里叶变换红外光谱和拉曼光谱确定了沉积薄膜的结构。采用纳米压痕法对a-C:H:SiOx薄膜的力学性能（硬度和弹性模量）进行表征，并通过硬度与弹性模量评估其耐久性（H/E）和抗塑性变形能力（H3/E2）。基于加载-卸载曲线计算弹性恢复率。研究表明：当PPMS流速在35-287微升/分钟范围内增加时，薄膜沉积速率从17提升至221纳米/分钟，且在此过程中硬度、弹性模量及弹性恢复率等力学性能均未劣化。当流速为175微升/分钟时，耐久性和抗塑性变形能力达到最大值，分别为0.12和203兆帕。

    关键词： PPMS（原位磁化率测量系统）、a-C:H:SiOx薄膜、PACVD（等离子体增强化学气相沉积）、力学性能、纳米压痕

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • AlGaN上SiO?和SiN?的等离子体增强化学气相沉积：带偏移及界面研究随铝组分的变化

    摘要： 在本研究中，作者表征了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）电介质SiO?和SiNx与AlGaN的界面特性随铝组分的变化关系。研究发现：对于所有铝组分，SiO?均呈现I型跨立能带排列（导带和价带偏移均为正值）。但界面费米能级被钉扎在禁带中，表明存在大量界面态。因此SiO?适合作为AlGaN的绝缘层或电隔离层（击穿场强介于4.5-6.5 MV/cm之间），但在富铝AlGaN上使用时需在SiO?与AlGaN间增设钝化中间层。相比之下，富硅PECVD SiNx在铝组分<40%时呈现II型交错能带排列（导带偏移为正/价带偏移为负），在铝组分>40%时则转为I型跨立能带排列（导带和价带偏移均为负值），故通常不适合作为富铝AlGaN的绝缘层或电隔离层。与钝化的化学计量比LPCVD Si?N?不同，在AlGaN上沉积SiNx未观察到界面态减少的证据。

    关键词： 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、带阶、二氧化硅（SiO?）、氮化铝镓（AlGaN）、界面研究、铝组分、氮化硅（SiNx）

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [IEEE 2018年第20届透明光网络国际会议(ICTON) - 布加勒斯特(2018年7月1日-2018年7月5日)] 2018年第20届透明光网络国际会议(ICTON) - 基于As-Se-Te硫系化合物体系的高品质相变材料等离子体制备

    摘要： 已证明等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在制备基于As-Se-Te硫系三元体系的高品质相变材料方面具有卓越性。样品通过砷、硒和碲蒸汽在低压低温非平衡射频（40 MHz）等离子体放电中的直接相互作用合成。在广泛的成分范围内制备了具有高度结构和化学均匀性的非晶薄膜，特别是化学成分超出了玻璃形成区域。

    关键词： 等离子体增强化学气相沉积、硫系化合物薄膜、相变材料

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • PECVD技术沉积硅层中气体稀释与热退火诱导的晶体结构变化

    摘要： 我们采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法，通过SiH4和H2混合气体制备了氢化厚硅膜，并研究了以R=H2/SiH4定义的氢稀释比对沉积态及退火后薄膜的影响。随着氢稀释比增加，观察到非晶向微晶的转变。通过拉曼光谱、紫外反射率、小角X射线衍射（XRD）、光谱椭偏仪和原子力显微镜（AFM）分析确认了结晶现象。Tauc带隙随硅烷中H2稀释比的增加呈现下降趋势，从1.8 eV降至1.57 eV。研究表明，PECVD过程中硅烷的H2稀释能提升薄膜结晶度，并影响其光学与结构特性。

    关键词： 硅纳米晶粒、氢稀释、热退火、等离子体增强化学气相沉积、结晶

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 采用等离子体增强化学气相沉积法制备的AZO（ZnO:Al）透明导电薄膜及其与ZnO薄膜的性能对比

    摘要： 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了AZO(ZnO:Al)多晶薄膜?；赑ECVD方法，详细展示了AZO薄膜的制备工艺流程。此外，通过与ZnO薄膜的对比，对薄膜的电学光学性能进行了测试。结果表明：采用PECVD法可在玻璃基底和硅基底上分别沉积出与基底结合力强、方阻低至89Ω/□、可见光透过率高达85%的AZO薄膜。

    关键词： 透明导电薄膜，等离子体增强化学气相沉积，AZO（氧化锌铝）

    更新于2025-09-09 09:28:46